威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向 100V 中壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，支持 10V 邏輯電平控制，基于 FastMOS II 技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高效能，適用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、電源管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值100mΩ；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)32A，\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為20A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{pul}\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)240A，滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 10V 邏輯電平控制：適配 10V 邏輯驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)化系統(tǒng)控制設(shè)計(jì)；
• FastMOS II 技術(shù)：實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，適配高頻應(yīng)用場(chǎng)景；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 144mJ，感性負(fù)載開關(guān)場(chǎng)景下穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)滿足無鹵要求，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應(yīng)用：
  • DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在中壓電源轉(zhuǎn)換拓?fù)渲凶鳛殚_關(guān)管，平衡耐壓與效率需求；
  • 同步整流：適配中壓電源的同步整流回路，降低整流損耗；
  • 電源管理系統(tǒng)：為中壓電源分配、電壓調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)提供高效開關(guān)控制。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）