摘要：本篇博客具體包括SPI協(xié)議的基本原理、模式選擇以及時(shí)序邏輯要求，采用FPGA（EPCE4），通過SPI通信協(xié)議，對flash（W25Q16BV）存儲的固化程序進(jìn)行芯片擦除操作。

關(guān)鍵詞：SPI；Verilog HDL；Flash

【SPI協(xié)議通信模式】

SPI是Motorola公司推出的一種同步串行接口，是一種高速、全雙工、同步的通信總線，廣泛應(yīng)用于存儲器，數(shù)模轉(zhuǎn)換器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘等。

優(yōu)點(diǎn)：支持全雙工通信，通訊方式簡單，相對數(shù)據(jù)傳輸速率較快。

缺點(diǎn)：沒有指定的流控制，沒有應(yīng)答機(jī)制，數(shù)據(jù)可靠性上存在缺陷。

SPI協(xié)議通過四根線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，即SCK（Serial Clock）、MOSI（Master Output Slave Input）、MISO（Master Input Slave Output）、/SS（Slave Select，低電平有效）（或/CS）。

接口處理方式：一主一從（左）、一主多從【星型鏈?zhǔn)健浚ㄓ遥㏒PI通信要求主機(jī)和從機(jī)具有同步的時(shí)鐘信號，傳輸速率直接受到時(shí)鐘頻率（SCLK）的影響。

信號線說明：

MOSI、MISO數(shù)據(jù)在SCK同步信號下傳輸，每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸一位數(shù)據(jù)，輸入輸出同步進(jìn)行，要保證MSB或LSB先行需一致。/SS從設(shè)備信號選擇線，由高變低，是SPI通訊的起始信號。當(dāng)從設(shè)備/SS線檢測到起始信號后，即為選中使能與主機(jī)通訊。/SS信號由低變高，為停止信號，從設(shè)備的選中狀態(tài)被取消。

注：SPI每次數(shù)據(jù)傳輸可以8位或16位為單位，每次傳輸?shù)膯挝粩?shù)不受限制。

SPI通信時(shí)鐘模式：

SPI通信加入了時(shí)鐘相位(CPHA)和時(shí)鐘極性(CPOL)的設(shè)置，通過組合CPOL和CPHA的不同設(shè)置，SPI共支持四種常見的時(shí)鐘配置模式。

在CPHA指示為l時(shí)， 數(shù)據(jù)就會在SCLK的第二個(gè)有效邊沿被采樣（/SS拉低后，空閑為高，為上升沿；空閑為低，下降沿），同時(shí)被鎖存到寄存器中；如果CPHA 清零，數(shù)據(jù)就會在SCLK的第一個(gè)有效邊沿被采樣（/SS拉低后，空閑為高，為下降沿；空閑為低，為上升沿），同時(shí)被鎖存起來。SPI的主從設(shè)備須配置相同的時(shí)序模式，見下圖。

【W(wǎng)25Q16BV操作說明】

板載Flash芯片型號：W25Q16BV；總?cè)萘繛?6M bit，即2M字節(jié)；存儲陣列被分成8192個(gè)可編程頁，每頁容量256字節(jié)；支持Standard SPI、Dual SPI和Quad SPI三種SPI通信協(xié)議，最大讀/寫傳輸速率達(dá)50MB/s。它支持多種擦除操作，包括扇區(qū)擦除（4KB）、塊擦除（32KB或64KB）以及全芯片擦除。

1、接口處理與結(jié)構(gòu)邏輯

上圖可以看到，除SPI經(jīng)典的四個(gè)引腳外，還有/WP和/HOLD，分別用于寫保護(hù)和輸入保持。對于不同倍率SPI協(xié)議，引腳使用搭配是有區(qū)別的。

W25Q16BV內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)的邏輯和功能組織見下圖，SPI接口負(fù)責(zé)接收命令和地址，并通過控制邏輯進(jìn)行解析和執(zhí)行。狀態(tài)寄存器（Status Register）用于存儲設(shè)備的狀態(tài)信息，如是否忙碌（BUSY位）；寫控制通過IO2引腳控制，用于啟動寫操作；高電平生成器（High Voltage Generators）用于執(zhí)行如擦除等操作；控制邏輯（Control Logic）負(fù)責(zé)解析SPI接口接收到的命令，并根據(jù)需要控制存儲器的讀/寫操作。列解碼（Column Decode）和頁面緩沖（256-Byte Page Buffer）用于支持頁面的讀/寫操作。

存儲器部分被分割成32個(gè)塊（Block），單個(gè)塊區(qū)包含16個(gè)扇區(qū)（Sector），每個(gè)扇區(qū)又由16個(gè)頁組成，單頁存儲256字節(jié)數(shù)據(jù)，共計(jì)32 x 16 x 16 x 256 ≈ 2M 字節(jié)。存儲器通過頁地址和字節(jié)地址來定位特定的數(shù)據(jù)位置。

24位地址線通過上述的層次結(jié)構(gòu)來映射整個(gè)存儲器的地址空間，具體見下面表格。

2、指令與時(shí)序說明

軟件命令：W25Q16BV的指令集由30條基本指令組成，指令完全通過SPI總線控制。指令的啟動是通過/CS的下降邊緣來觸發(fā)的，/CS拉高前須完成指令輸入，否則無效。DI輸入的第一個(gè)字節(jié)提供指令代碼，DI輸入上的數(shù)據(jù)是在時(shí)鐘的上升沿采樣的，首先采樣的是最高有效位（MSB）。
指令的長度從單個(gè)字節(jié)到幾個(gè)字節(jié)不等，后面可能跟著地址字節(jié)、數(shù)據(jù)字節(jié)、虛擬字節(jié)(可選)，在某些情況下，還可能是它們組合。所有的讀指令都可以在任何一個(gè)時(shí)鐘位之后完成。

所有寫、編程或擦除指令必須在字節(jié)邊界上完成（即，在完整的8位數(shù)據(jù)被時(shí)鐘同步后，/CS被驅(qū)動為高）。如果不在字節(jié)邊界上完成，該指令將被終止。這一特性旨在保護(hù)設(shè)備免受意外寫入的影響。

當(dāng)內(nèi)存正在被編程或擦除，或者當(dāng)狀態(tài)寄存器正在被寫入時(shí)，除了讀狀態(tài)寄存器指令之外的所有指令都將被忽略，直到編程或擦除周期完成。

電平切換時(shí)序要求：

下圖為Serial Input Timing，其中片選線/CS待輸入完成后拉高電平保持時(shí)間（tSHSL） (for Array Read Array Read / Erase or Program Read Status Registers) ：至少7/40 ns；片選信號有效建立時(shí)間（tSLCH）：至少為5ns；片選信號有效保持時(shí)間（tCHSH）：至少為5ns。注意：讀指令/寫指令時(shí)鐘頻率最大為50Mhz。

寫使能（Write Enable ）：該指令用于設(shè)置（狀態(tài)寄存器中）寫使能鎖存器（WEL）位為1，確保存儲器處于可寫狀態(tài)。

首先，將/CS（Chip Select）引腳拉低，SPI通信啟動。在CLK上升沿，將數(shù)據(jù)輸入（DI）引腳上的數(shù)據(jù)位設(shè)置為指令代碼“06h”，即0000 0110。完成后，將/CS引腳拉高，SPI通信的結(jié)束和寫使能完成。

讀操作（Read Data）：這個(gè)指令允許從存儲器中順序地讀取一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。首先，通過將/CS引腳拉低來啟動指令，將指令代碼“03h”（0000 0011）和一個(gè)24位地址（A23-A0）通過DI引腳移位輸入，代碼和地址位在CLK上升沿時(shí)被鎖定。最后，通過將/CS引腳拉高完成指令。

如果在擦除、編程或?qū)懭胫芷谡谶M(jìn)行時(shí)（BUSY=1）發(fā)出讀取數(shù)據(jù)指令，該指令將被忽略。

芯片全擦除操作（Chip Erase）：Chip Erase 指令會將設(shè)備內(nèi)的所有存儲器設(shè)置為擦除狀態(tài)，即所有位都設(shè)為1。

①擦除啟動：在執(zhí)行芯片擦除指令之前，必須先執(zhí)行一個(gè)“寫使能”指令，使設(shè)備能夠接受芯片擦除指令（狀態(tài)寄存器的WEL位必須等于1）。將/CS引腳拉低來啟動指令，移位輸入指令代碼“C7h”或“60h”，在第八位被鎖定后，/CS引腳須被拉高。

②擦除過程：/CS被拉高后，自計(jì)時(shí)的芯片擦除指令將開始執(zhí)行。芯片擦除周期（典型3s，最大10s）進(jìn)行期間，仍然可以通過“讀取狀態(tài)寄存器”指令來檢查BUSY位的狀態(tài)（BUSY位在芯片擦除周期期間為1）。

③擦除后的狀態(tài)：WEL位會被置0，注意：存儲數(shù)據(jù)的任何部分受到塊保護(hù)（BP2、BP1和BP0）位的保護(hù)，則不會執(zhí)行芯片擦除指令。

【Flash全擦除操作】

1、Quartus II進(jìn)行程序固化下載及擦除

燒錄程序方式：①將程序下載到FPGA內(nèi)部的SRAM之中，燒錄過程耗時(shí)較短，但掉電后程序丟失；②將程序固化到FPGA外部掛載的非易失性存儲器Flash芯片，掉電后程序不丟失。

在Quartus II的主界面中，選擇“File”菜單下的“Convert Programming Files”選項(xiàng)，用于將編譯生成的特定文件（如sof文件）轉(zhuǎn)換為其他格式的文件，如jic文件，以便下載到FPGA板載的flash或其他目標(biāo)設(shè)備中，流程見下圖。

下載程序時(shí)，目標(biāo).jic文件后，右下指示框很明顯看到下載至Flash（這里是EPCS16類似W25Q16），僅勾選Program/Configure 進(jìn)行程序固化下載，僅勾選Erase表示擦除Flash操作。

2、Verilog程序?qū)崿F(xiàn)Flash芯片擦除操作（SPI）

根據(jù)Flash讀/寫時(shí)序要求，片選信號拉低后，需進(jìn)行5ns（tSLCH≥5ns）等待時(shí)間，及后寫入寫使能指令。寫入完成后，再次進(jìn)行5ns（tCHSH≥5ns）等待，拉高片選線維持≥100ns，接續(xù)完成寫入操作指令流程。

Flash芯片數(shù)據(jù)讀操作的時(shí)鐘頻率(SCK)上限為50MHz，這里通過四分頻設(shè)定SCK頻率為12.5Mhz。單個(gè)時(shí)鐘周期寫入1 bit數(shù)據(jù)，完整的單字節(jié)指令需要8個(gè)完整的SCK時(shí)鐘周期，即32個(gè)完整的系統(tǒng)時(shí)鐘，系統(tǒng)時(shí)鐘頻率為50MHz，完整指令的寫入需要640ns。

mosi信號輸出采用了狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)移的邏輯方法：

當(dāng)key_flag信號有效時(shí)，從IDLE轉(zhuǎn)移到WR_EN狀態(tài)，在WR_EN和CH_ER狀態(tài)中，分別寫入相應(yīng)的寫使能和指令后，等待tCHSH時(shí)間，然后拉高片選信號。在WR_EN狀態(tài)寫入指令后，轉(zhuǎn)移到DELAY狀態(tài)等待tSHSL時(shí)間。在DELAY狀態(tài)等待完成后，轉(zhuǎn)移到CH_ER狀態(tài)，返回IDLE狀態(tài)。相關(guān)代碼如下：

parameter IDLE =4'b0001,WREN =4'b0010,DELAY=4'b0100,CH_ER=4'b1000;parameter WREN_CODE =8'b0000_0110,CH_ER_CODE =8'b1100_0111;      always@(posedgesys_clkornegedgesys_rst)beginif(!sys_rst)state <= IDLE; ? ?elsecase(state) ? ? ? ? ? ? IDLE :if(key_flag)state <= WREN; ? ? ? ? ? ? WREN :if((cnt_byte ==?3'd2)&&(cnt_clk ==?5'd31))state <= DELAY; ? ? ? ? ? ? DELAY:if((cnt_byte ==?3'd3)&&(cnt_clk ==?5'd31))state <= CH_ER; ? ? ? ? ? ? CH_ER:if((cnt_byte ==?3'd6)&&(cnt_clk ==?5'd31))state <= IDLE; ? ? ? ? ? ?default:state <= IDLE; ? ? ? ?endcaseendalways?@(posedge?sys_clk?ornegedge?sys_rst)beginif(!sys_rst)mosi <=?1'b0; ? ?elseif((state == WREN)&&(cnt_byte ==?3'd2)) mosi <=?1'b0; ? ?elseif((state == CH_ER)&&(cnt_byte ==?3'd6)) mosi <=?1'b0; ? ?elseif((state == WREN)&&(cnt_byte ==?3'd1)&&(cnt_sck ==?2'd0)) ? ? ? ? mosi <= WREN_CODE[7?- cnt_bit]; ? ?elseif((state == CH_ER) && (cnt_byte ==?3'd5) && (cnt_sck ==?2'd0)) ? ? ? ? mosi <= CH_ER_CODE[7?- cnt_bit];end

而對于其他的信號邏輯處理：cnt_clk作為預(yù)期設(shè)定單位間距（640ns）的計(jì)數(shù)器，cnt_byte根據(jù)其完成7個(gè)階段的轉(zhuǎn)換。sck為寫操作的時(shí)鐘信號，cnt_sck作為其在有效時(shí)間段內(nèi)計(jì)數(shù)器，使得sck按sys_clk四分配輸出。

always@(posedgesys_clkornegedgesys_rst)beginif(!sys_rst) cnt_clk <=?5'd0; ? ?elseif(state != IDLE)cnt_clk <= cnt_clk +?1'b1; ?//位寬清零endalways?@(posedge?sys_clk?ornegedge?sys_rst)beginif(!sys_rst)cnt_byte <=?3'd0; ? ?elseif((cnt_byte ==?3'd6)&&(cnt_clk ==?5'd31))cnt_byte <=?3'd0; ? ?elseif(cnt_clk ==?5'd31) cnt_byte <= cnt_byte +?1'b1;endalways?@(posedge?sys_clk?ornegedge?sys_rst)beginif(!sys_rst)cnt_sck <=?2'd0; ? ?elseif((state == WREN)&&(cnt_byte ==?3'd1))cnt_sck <= cnt_sck +?1'b1; ?//位寬清零elseif((state == CH_ER)&&(cnt_byte ==?3'd5))cnt_sck <= cnt_sck +?1'b1; ?//位寬清零endalways?@(posedge?sys_clk?ornegedge?sys_rst)beginif(!sys_rst)cnt_bit <=?3'd0; ? ?elseif(cnt_sck ==?2'd2)cnt_bit <= cnt_bit +?1'b1;endalways?@(posedge?sys_clk?ornegedge?sys_rst)beginif(!sys_rst)ss_n <=?1'b1; ? ?elseif(key_flag)ss_n <=?1'b0; ? ?elseif((cnt_byte ==?3'd2)&&(cnt_clk ==?5'd31)&&(state == WREN))ss_n <=?1'b1; ? ?elseif((cnt_byte ==?3'd3)&&(cnt_clk ==?5'd31)&&(state == DELAY))ss_n <=?1'b0; ? ?elseif((cnt_byte ==?3'd6)&&(cnt_clk ==?5'd31)&&(state == CH_ER))ss_n <=?1'b1;endalways?@(posedge?sys_clk?ornegedge?sys_rst)beginif(!sys_rst)sck <=?1'b0; ? ?elseif(cnt_sck ==?2'd0)sck <=?1'b0; ? ?elseif(cnt_sck ==?2'd2)sck <=?1'b1;end

導(dǎo)入仿真文件，對芯片擦除操作進(jìn)行仿真，由于該操作耗時(shí)長，仿真前在Flash參數(shù)文件縮放擦除周期至4000ns。從上圖仿真結(jié)果可以看到，在4710ns處，F(xiàn)lash啟動芯片擦除，在8710ns結(jié)束擦除操作。

根據(jù)仿真結(jié)果顯示，sys_clk拉高后，程序正常工作，當(dāng)檢測到key_flag為高電平后，片選線SS_n拉低，指令操作開啟。等待一個(gè)有效建立時(shí)間后（這里是640ns，便于編寫代碼），sck正式輸出八段時(shí)鐘切換（12.5Mhz）。首先，按寫使能指令，輸出一個(gè)時(shí)序（0000_0110，06h）。等待一個(gè)片選線建立時(shí)間后拉高，進(jìn)入等待狀態(tài)（≥100ns，640ns）接續(xù)完成芯片擦除指令的錄入。cnt_byte和state的狀態(tài)，隨cnt_clk時(shí)鐘計(jì)數(shù)變換。