2025年11月28日，“2025第四屆中國激光星銳企業(yè)峰會(huì)”及“第四屆中國激光星銳頒獎(jiǎng)典禮”在武漢光谷隆重召開。度亙核芯自主研發(fā)的“915/976nm 50W 高亮度半導(dǎo)體激光芯片”經(jīng)行業(yè)權(quán)威評(píng)審委員會(huì)嚴(yán)格評(píng)審、網(wǎng)絡(luò)投票等多維度綜合評(píng)選，從一眾申報(bào)技術(shù)中脫穎而出，榮膺“2025中國激光星銳獎(jiǎng)·最佳半導(dǎo)體激光器技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”！

獲獎(jiǎng)產(chǎn)品

915/976 nm 50W高亮度半導(dǎo)體激光芯片

度亙核芯研發(fā)的“915/976nm 50W高亮度半導(dǎo)體激光芯片”實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器核心技術(shù)的突破性進(jìn)展。憑借50W高功率穩(wěn)定輸出與優(yōu)異的光束質(zhì)量雙核心優(yōu)勢(shì)，為工業(yè)加工、科研探索等領(lǐng)域提供更高效、更可靠的核心光源解決方案，賦能下游裝備升級(jí)與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展！

核心技術(shù)創(chuàng)新

高功率、高效率

依托高自由度外延設(shè)計(jì) + 精細(xì)化能帶調(diào)控，精準(zhǔn)優(yōu)化內(nèi)量子效率，實(shí)現(xiàn)低閾值電流與高斜率效率的平衡；搭配高精度摻雜控制技術(shù)，大幅降低串聯(lián)電阻、提升載流子輸運(yùn)效率，使320μm條寬單管器件在50W輸出時(shí)電光轉(zhuǎn)換效率（PCE）達(dá)63%。以硬核技術(shù)實(shí)現(xiàn) “高功率輸出 + 低能耗運(yùn)行”，為下游設(shè)備帶來顯著的使用成本優(yōu)化。

高亮度光束質(zhì)量

創(chuàng)新采用長腔長設(shè)計(jì)，通過擴(kuò)展腔長降低腔內(nèi)功率密度，抑制高階模激發(fā)，提升光束質(zhì)量；同時(shí)，采用多元化模式控制并結(jié)合新型擴(kuò)展波導(dǎo)專利技術(shù)，顯著降低慢軸發(fā)散角，在50W輸出時(shí)實(shí)現(xiàn)95%能量內(nèi)慢軸發(fā)散角≤9.2°，側(cè)向亮度達(dá)3.9W/(mm·mrad)，讓激光能量更集中、作用更精準(zhǔn)，為高端激光加工、精密裝備等場景提供超高品質(zhì)光束支撐。

高可靠性設(shè)計(jì)

以全流程精細(xì)化工藝打造低缺陷外延材料：通過優(yōu)化調(diào)節(jié)氣流配比、反應(yīng)室壓力、生長溫度等核心參數(shù)，實(shí)現(xiàn)低雜質(zhì)、低光學(xué)吸收的優(yōu)質(zhì)材料生長；應(yīng)力補(bǔ)償設(shè)計(jì)和精細(xì)化晶圓應(yīng)力調(diào)控技術(shù)，有效控制了芯片翹曲度，確保芯片封裝的一致性和可靠性；更憑借非吸收窗口設(shè)計(jì)與獨(dú)特的腔面鈍化和鍍膜技術(shù)，大幅提升腔面損傷閾值——在55A條件下，通過2000小時(shí)老化無失效，滿足工業(yè)級(jí)嚴(yán)苛需求。

創(chuàng)“芯”不止，載譽(yù)前行！此次蟬聯(lián)2025“中國激光星銳獎(jiǎng)·最佳半導(dǎo)體激光器技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”，是度亙核芯技術(shù)實(shí)力與行業(yè)影響力的雙重印證。作為高端半導(dǎo)體激光芯片及模塊領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，公司始終以“核心技術(shù)自主可控”為發(fā)展根基，以高端激光芯片設(shè)計(jì)與制造為核心競爭力，專注于高性能激光芯片的設(shè)計(jì)與制造。通過核心技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化落地，度亙核芯持續(xù)為工業(yè)加工、光通信、科學(xué)研究、醫(yī)療健康等多領(lǐng)域提供高效、穩(wěn)定、可靠的光電解決方案，推動(dòng)激光技術(shù)在多領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，為中國乃至全球激光產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁“芯”動(dòng)能！