探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NTH4L022N120M3S 這款 1200V、22mΩ 的碳化硅 MOSFET，看看它到底有哪些獨(dú)特之處。

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產(chǎn)品概述

NTH4L022N120M3S 屬于 EliteSiC 系列，采用 TO - 247 - 4L 封裝。它具有諸多令人矚目的特性，適用于太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電站、不間斷電源（UPS）、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及開關(guān)模式電源（SMPS）等多種典型應(yīng)用場景。

關(guān)鍵特性剖析

低導(dǎo)通電阻

在 $V{GS}=18V$ 的條件下，典型的 $R{DS(on)}$ 僅為 22mΩ，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗較低，能夠有效提高系統(tǒng)的效率。大家可以思考一下，在高功率應(yīng)用中，這樣低的導(dǎo)通電阻能為我們節(jié)省多少電能呢？

超低柵極電荷

其總柵極電荷 $Q_{G(tot)}$ 僅為 137nC。低柵極電荷使得器件在開關(guān)過程中所需的驅(qū)動(dòng)能量較少，從而可以實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，減少開關(guān)損耗。這對于追求高頻開關(guān)的應(yīng)用來說，無疑是一個(gè)巨大的優(yōu)勢。

高速開關(guān)與低電容

該器件的輸出電容 $C_{oss}$ 為 146pF，較低的電容值有助于降低開關(guān)過程中的能量損耗，進(jìn)一步提高開關(guān)速度。在高頻開關(guān)應(yīng)用中，低電容特性可以顯著減少開關(guān)時(shí)間，提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

雪崩測試

NTH4L022N120M3S 經(jīng)過 100% 雪崩測試，這表明它在承受雪崩能量時(shí)具有較高的可靠性，能夠在惡劣的工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

環(huán)保特性

此器件無鹵化物，符合 RoHS 指令豁免條款 7a，并且在二級(jí)互連（2LI）上采用無鉛工藝，體現(xiàn)了 onsemi 在環(huán)保方面的努力。

主要參數(shù)解讀

最大額定值

• 電壓參數(shù)：漏源電壓 $V{DSS}$ 最大值為 1200V，柵源電壓 $V{GS}$ 范圍為 - 10V 至 + 22V。這決定了器件能夠承受的最大電壓，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須確保實(shí)際工作電壓在這個(gè)范圍內(nèi)，否則可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。
• 電流參數(shù)：在 $T{C}=25^{\circ}C$ 時(shí)，連續(xù)漏極電流 $I{D}$ 最大值為 89A；在 $T{C}=100^{\circ}C$ 時(shí)，連續(xù)漏極電流為 62A。脈沖漏極電流 $I{DM}$ 在 $T_{C}=25^{\circ}C$ 時(shí)可達(dá) 275A。這些電流參數(shù)限制了器件在不同溫度和工作模式下的電流承載能力。
• 功率參數(shù)：在 $T{C}=25^{\circ}C$ 時(shí)，功率耗散 $P{D}$ 為 348W；在 $T_{C}=100^{\circ}C$ 時(shí)，功率耗散為 174W。功率耗散與器件的散熱設(shè)計(jì)密切相關(guān)，合理的散熱措施可以確保器件在允許的功率范圍內(nèi)正常工作。
• 溫度范圍：工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍為 - 55℃ 至 + 175℃，這使得器件能夠在較寬的溫度環(huán)境下穩(wěn)定工作。

熱特性

• 結(jié)到殼的穩(wěn)態(tài)熱阻 $R{θJC}$ 最大為 0.43℃/W，結(jié)到環(huán)境的穩(wěn)態(tài)熱阻 $R{θJA}$ 為 40℃/W。熱阻參數(shù)對于評(píng)估器件的散熱性能至關(guān)重要，在設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)時(shí)，需要根據(jù)這些參數(shù)來選擇合適的散熱片和散熱方式。

推薦工作條件

推薦的柵源電壓 $V_{GSop}$ 范圍為 - 5V 至 - 3V 和 + 18V。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)盡量將柵源電壓控制在這個(gè)范圍內(nèi)，以確保器件的正常工作和可靠性。

電氣特性

• 關(guān)態(tài)特性：漏源擊穿電壓 $V{(BR)DSS}$ 在 $V{GS}=0V$、$I{D}=1mA$ 時(shí)為 1200V，其溫度系數(shù)為 - 0.3V/℃。零柵壓漏電流 $I{DSS}$ 在 $V{DS}=1200V$、$T{J}=25^{\circ}C$ 時(shí)為 100μA，柵源泄漏電流 $I{GSS}$ 在 $V{GS}= + 22V$ 或 - 10V、$V_{DS}=0V$ 時(shí)為 ± 1μA。
• 開態(tài)特性：柵極閾值電壓 $V{GS(TH)}$ 在 $V{GS}=V{DS}$、$I{D}=20mA$ 時(shí)，典型值為 2.72V。在 $V{GS}=18V$、$I{D}=40A$、$T{J}=25^{\circ}C$ 時(shí)，漏源導(dǎo)通電阻 $R{DS(on)}$ 典型值為 22mΩ，在 $T{J}=175^{\circ}C$ 時(shí)為 44mΩ。正向跨導(dǎo) $g{fs}$ 在 $V{DS}=10V$、$I{D}=40A$ 時(shí)典型值為 34S。
• 開關(guān)特性：開通延遲時(shí)間 $t{d(ON)}$ 為 18ns，上升時(shí)間 $t{r}$ 為 24ns，關(guān)斷延遲時(shí)間 $t{d(OFF)}$ 為 48ns，下降時(shí)間 $t{f}$ 為 13ns。開通開關(guān)損耗 $E{ON}$ 為 490μJ，關(guān)斷開關(guān)損耗 $E{OFF}$ 為 221μJ，總開關(guān)損耗 $E_{tot}$ 為 711μJ。這些開關(guān)特性參數(shù)對于評(píng)估器件在開關(guān)過程中的性能非常重要，在高頻開關(guān)應(yīng)用中，需要特別關(guān)注開關(guān)損耗的大小。
• 源 - 漏二極管特性：連續(xù)源 - 漏二極管正向電流 $I{SD}$ 在 $V{GS}=-3V$、$T{C}=25^{\circ}C$ 時(shí)最大值為 72A，脈沖源 - 漏二極管正向電流 $I{SDM}$ 為 275A。正向二極管電壓 $V{SD}$ 在 $V{GS}=-3V$、$I{SD}=40A$、$T{J}=25^{\circ}C$ 時(shí)典型值為 4.5V。反向恢復(fù)時(shí)間 $t{RR}$ 為 22ns，反向恢復(fù)電荷 $Q{RR}$ 為 138nC，反向恢復(fù)能量 $E{REC}$ 為 5μJ，峰值反向恢復(fù)電流 $I{RRM}$ 為 13A，充電時(shí)間 $T{A}$ 為 13ns，放電時(shí)間 $T{B}$ 為 9ns。

典型特性曲線分析

文檔中提供了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、開關(guān)損耗與漏極電流、漏極電壓、柵極電阻、溫度的關(guān)系，以及二極管正向電壓與電流、電容與漏源電壓等關(guān)系曲線。這些曲線可以幫助我們更直觀地了解器件在不同工作條件下的性能變化，為電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供重要參考。例如，通過導(dǎo)通電阻隨溫度的變化曲線，我們可以預(yù)測在不同溫度下器件的功率損耗，從而合理設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)。

封裝與尺寸

NTH4L022N120M3S 采用 TO - 247 - 4L 封裝，文檔詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息。在進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)，我們需要根據(jù)這些尺寸來合理布局器件，確保引腳間距、散熱空間等滿足設(shè)計(jì)要求。

總結(jié)

onsemi 的 NTH4L022N120M3S 碳化硅 MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷、高速開關(guān)、低電容、高可靠性和環(huán)保等特性，在電力電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇和使用該器件，并結(jié)合其各項(xiàng)參數(shù)和特性曲線進(jìn)行電路優(yōu)化，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。同時(shí)，也要注意器件的最大額定值和推薦工作條件，確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這款器件的過程中，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。