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選型手冊:VS4610AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-12-04 09:59 ? 次閱讀
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威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AD是一款面向 40V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,支持 5V 邏輯電平控制,適配低壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值6.6mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時典型值10mΩ,低壓場景下傳導(dǎo)損耗可控;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=10V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時65A,\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為46A;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):280A(\(T=25^\circ\text{C}\)),滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

  • 5V 邏輯電平控制:適配 5V 邏輯驅(qū)動電路,無需額外電平轉(zhuǎn)換,簡化系統(tǒng)設(shè)計;
  • 快速開關(guān) + 高可靠性:開關(guān)速度優(yōu)異,且通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 298mJ,感性負載開關(guān)場景穩(wěn)定性強;
  • 環(huán)保合規(guī):采用無鉛引腳鍍層,滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

40V
二極管連續(xù)正向電流

\(I_S\)

65A
連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 65;\(T=100^\circ\text{C}\): 46

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

280A
單脈沖雪崩能量

\(E_{AS}\)

298mJ
最大功耗

\(P_D\)

51W
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±20V
結(jié) - 殼熱阻

\(R_{thJC}\)

2.9℃/W
工作 / 存儲溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+175

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式:TO-252 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷,適配大電流散熱需求的高密度電路板設(shè)計;
  • 典型應(yīng)用
    • 低壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器:40V 級降壓拓撲的開關(guān)管;
    • 同步整流電路:適配低壓電源的同步整流回路;
    • 中功率負載開關(guān):消費電子、工業(yè)設(shè)備的中功率負載通斷管理。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)

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