威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AD是一款面向 40V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,支持 5V 邏輯電平控制,適配低壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關(guān)等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 5V 邏輯電平控制:適配 5V 邏輯驅(qū)動電路,無需額外電平轉(zhuǎn)換,簡化系統(tǒng)設(shè)計;
- 快速開關(guān) + 高可靠性:開關(guān)速度優(yōu)異,且通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 298mJ,感性負載開關(guān)場景穩(wěn)定性強;
- 環(huán)保合規(guī):采用無鉛引腳鍍層,滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 40 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 65 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 65;\(T=100^\circ\text{C}\): 46 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 280 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 298 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) | 51 | W |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 結(jié) - 殼熱阻 | \(R_{thJC}\) | 2.9 | ℃/W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+175 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:TO-252 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷,適配大電流散熱需求的高密度電路板設(shè)計;
- 典型應(yīng)用:
五、信息來源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
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選型手冊:VS4610AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
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