安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1：高效能與可靠性的完美結(jié)合

作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常追求高性能、高可靠性的電子元件。今天，我將為大家詳細(xì)介紹安森美（onsemi）的一款碳化硅（SiC）MOSFET——NTBG025N065SC1，它在開(kāi)關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

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產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻與低電容

這款MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，典型值在不同柵源電壓下表現(xiàn)出色：在$V{GS}=18V$時(shí)，$R{DS(on)}=19m\Omega$；在$V{GS}=15V$時(shí)，$R{DS(on)}=25m\Omega$。同時(shí)，它的輸出電容$C_{oss}$僅為$278pF$，這有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。大家可以思考一下，在實(shí)際應(yīng)用中，低導(dǎo)通電阻和低電容能為我們的電路帶來(lái)哪些具體的優(yōu)勢(shì)呢？

低柵極電荷與雪崩測(cè)試

NTBG025N065SC1的總柵極電荷$Q_{G(tot)}$為$164nC$，這使得它在開(kāi)關(guān)過(guò)程中能夠快速響應(yīng)，減少開(kāi)關(guān)時(shí)間。而且，該器件經(jīng)過(guò)了100%雪崩測(cè)試，保證了在極端條件下的可靠性，能夠承受一定的能量沖擊。

寬溫度范圍與環(huán)保特性

它的工作結(jié)溫范圍為$-55^{\circ}C$至$+175^{\circ}C$，能夠適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境。同時(shí)，產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)污染。

最大額定值

參數(shù)	符號(hào)	值	單位
漏源電壓	$V_{DSS}$	650	V
柵源電壓	$V_{GS}$	-8/+22	V
推薦柵源電壓	$V{GS{op}}$	-5/+18	V
連續(xù)漏極電流（$T_{c}=25^{\circ}C$）	$I_{D}$	106	A
功率耗散（$T_{c}=25^{\circ}C$）	$P_{D}$	395	W
連續(xù)漏極電流（$T_{c}=100^{\circ}C$）	$I_{D}$	75	A
功率耗散（$T_{c}=100^{\circ}C$）	$P_{D}$	197	W
脈沖漏極電流（$T_{c}=25^{\circ}C$）	$I_{DM}$	284	A
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍	$T{J}, T{stg}$	-55 至 +175	$^{\circ}C$
源極電流（體二極管）	$I_{S}$	83	A
單脈沖漏源雪崩能量（$L = 11.2A_{pk}, L = 1mH$）	$E_{AS}$	62	mJ
焊接時(shí)最大引腳溫度（距外殼1/8處，10秒）	$T_{L}$	260	$^{\circ}C$

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。而且，實(shí)際應(yīng)用中的熱阻會(huì)受到多種因素的影響，并非固定值。

熱特性與電氣特性

熱特性

參數(shù)	符號(hào)	典型值	最大值	單位
結(jié)到殼熱阻	$R_{\theta JC}$	0.38		$^{\circ}C/W$
結(jié)到環(huán)境熱阻	$R_{\theta JA}$		40	$^{\circ}C/W$

電氣特性

關(guān)斷特性

包括漏源擊穿電壓、擊穿電壓溫度系數(shù)、零柵壓漏極電流和柵源泄漏電流等參數(shù)，這些參數(shù)反映了器件在關(guān)斷狀態(tài)下的性能。例如，漏源擊穿電壓$V{(BR)DSS}$在$V{GS}=0V$，$I_{D}=1mA$時(shí)為650V。

導(dǎo)通特性

柵極閾值電壓$V{GS(TH)}$在$I{D}=15.5mA$時(shí)，范圍為1.8V至4.3V。推薦柵極電壓$V{GOP}$為 -5V至 +18V。漏源導(dǎo)通電阻$R{DS(on)}$在不同的柵源電壓和結(jié)溫下有不同的值，如在$V{GS}=18V$，$I{D}=45A$，$T_{J}=25^{\circ}C$時(shí)，典型值為19mΩ。

電荷、電容與柵極電阻

輸入電容$C{iss}$為3480pF，輸出電容$C{oss}$為278pF，總柵極電荷$Q_{G(tot)}$為164nC等。這些參數(shù)對(duì)于理解器件的開(kāi)關(guān)特性和動(dòng)態(tài)性能非常重要。

開(kāi)關(guān)特性

包括開(kāi)通延遲時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、下降時(shí)間以及開(kāi)關(guān)損耗等。例如，開(kāi)通延遲時(shí)間$t{d(on)}$為17ns，總開(kāi)關(guān)損耗$E{TOT}$為177mJ。

源漏二極管特性

連續(xù)源漏二極管正向電流$I{SD}$在$V{GS}=-5V$，$T = 25^{\circ}C$時(shí)為83A，脈沖源漏二極管正向電流$I_{SDM}$為284A。同時(shí)，還給出了反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù)電荷等參數(shù)。

典型應(yīng)用

該MOSFET適用于多種典型應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）和儲(chǔ)能系統(tǒng)等。在這些應(yīng)用中，它的高性能和可靠性能夠?yàn)橄到y(tǒng)帶來(lái)更好的性能和穩(wěn)定性。

封裝與訂購(gòu)信息

NTBG025N065SC1采用D2PAK - 7L封裝，每盤800個(gè)。對(duì)于封裝尺寸，文檔中也給出了詳細(xì)的表格，包括各個(gè)尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值。

總結(jié)

安森美NTBG025N065SC1碳化硅MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、寬溫度范圍等諸多優(yōu)點(diǎn)，在開(kāi)關(guān)電源、太陽(yáng)能等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)時(shí)需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇和使用該器件，并充分考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，以確保電路的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類似器件的選型和使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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