威兆半導體推出的VS3508AP-K是一款面向 - 30V 低壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，適配低壓負電源切換、負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負電源場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時典型值8.8mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時典型值16mΩ，低壓場景下損耗較低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時-50A（負號代表 P 溝道電流方向），\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為-32A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：-200A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅動，無需額外電平轉換，簡化系統設計；
• 低導通電阻：8.8~16mΩ 阻性表現，降低低壓負電源場景的傳導損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 56mJ，感性負載開關場景穩(wěn)定性強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度電路板設計；
• 典型應用：
  • 低壓負電源切換電路；
  • 電池供電系統的電源路徑管理；
  • 中功率負載的負電源通斷控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）