電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近，湖南三安半導體舉行了碳化硅芯片上車儀式，標志著國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅主驅(qū)芯片實現(xiàn)從技術攻關到規(guī)?；b車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片成功搭載理想高壓平臺車型，不僅驗證了其在性能、可靠性與批量交付能力上的市場認可度，更通過與理想汽車的深度協(xié)同，構建起 “芯片自主 + 模塊自研” 的國產(chǎn)新能源汽車核心動力解決方案。

作為國內(nèi)為數(shù)不多具備 SiC 全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合能力的企業(yè)，三安半導體此次上車的碳化硅芯片背后，是覆蓋長晶、襯底制備、外延生長、芯片制造的全流程技術積淀。該 1200V 13mΩ 車規(guī)級 SiC MOSFET 作為第三代產(chǎn)品，通過元胞結構優(yōu)化，將導通損耗較前代產(chǎn)品降低 18.75%，在 100A 工作電流下導通損耗僅為 13W，顯著提升電驅(qū)系統(tǒng)效率。其核心技術優(yōu)勢源于三安在 8 英寸襯底領域的突破，湖南基地目前已實現(xiàn) 8 英寸襯底月產(chǎn)能 1000 片、外延月產(chǎn)能 2000 片，低缺陷密度工藝為芯片性能穩(wěn)定性提供了關鍵保障。

依托 IATF16949 體系認證與 AEC-Q101 車規(guī)級產(chǎn)品認證，三安碳化硅芯片已累計出貨超 3 億顆，服務全球超 800 家客戶，規(guī)?；圃旖?jīng)驗確保了對理想汽車的穩(wěn)定供應。湖南三安總經(jīng)理江協(xié)龍強調(diào)，全產(chǎn)業(yè)鏈模式讓企業(yè)在產(chǎn)品迭代、質(zhì)量管控與交付效率上形成獨特優(yōu)勢，此次上車正是 “車規(guī)化、平臺化、高效能、全鏈自主” 核心戰(zhàn)略的實踐成果。

此次芯片成功裝車，是雙方自 2022 年啟動合作以來的重要里程碑。當年，三安與理想合資成立蘇州斯科半導體有限公司，投資 10 億元建設碳化硅功率模塊研發(fā)生產(chǎn)基地，規(guī)劃年產(chǎn)能 240 萬只碳化硅半橋功率模塊，形成 “芯片制造 - 模塊集成 - 整車應用” 的閉環(huán)布局。2024 年底，合資公司一期產(chǎn)線正式通線，為此次規(guī)模化裝車奠定產(chǎn)能基礎；2025 年 6 月，理想在 TMC2025 年會上發(fā)布自研 LPM 功率模塊后，雙方加速芯片與模塊的適配優(yōu)化，最終實現(xiàn)核心部件的同步落地。

理想汽車動力驅(qū)動研發(fā)副總裁劉強表示，三安在第三代半導體領域的戰(zhàn)略布局，為理想純電產(chǎn)品的技術迭代提供了關鍵支撐。在技術交流中，雙方團隊圍繞碳化硅芯片在電驅(qū)系統(tǒng)、充電效率及平臺化應用的深度探討，進一步明確了基于三安 8 英寸襯底技術，將為理想高壓平臺車型開發(fā)提供持續(xù)助力。儀式上，湖南三安贈送的8英寸 SiC MOSFET 芯片成品，既彰顯了技術自信，更預示著合作向更深層次推進。

三安碳化硅芯片的卓越性能，在理想自研 LPM 功率模塊中得到充分釋放。這款歷時 3 年半研發(fā)的模塊，以系統(tǒng)級能效優(yōu)化為核心，通過四大技術創(chuàng)新將等效串聯(lián)電感（ESL）降至 10nH，較行業(yè)平均水平降低 50%，配合三安芯片的低損耗特性，共同實現(xiàn)整車續(xù)航提升 7%。其中芯片本身貢獻 6%（約 40 公里）提升，模塊優(yōu)化額外帶來 1%（約 7 公里）增益。

理想 LPM 模塊的革命性設計尤為亮眼：其獨創(chuàng)內(nèi)部開窗架構，徹底取消外露功率端子與螺栓連接，通過高精度 AMB 直接激光焊工藝實現(xiàn)電容與銅排的精準嵌套，使模塊占地面積縮減 50%，Y 向尺寸減小 40mm，為后排乘客釋放寶貴空間。這種跨層級集成設計，需要芯片性能與模塊結構的深度適配，而三安芯片的穩(wěn)定輸出與靈活定制能力，為該創(chuàng)新提供了堅實基礎。此外，模塊搭載的封閉銅冷板、全自動化組裝工藝及 72 項極端工況驗證，進一步保障了三安芯片在整車場景下的可靠性。

此次合作的落地，不僅打破了國際廠商在高端車載碳化硅芯片領域的壟斷，更構建了車企與半導體企業(yè)深度協(xié)同的國產(chǎn)創(chuàng)新模式。三安通過 8 英寸產(chǎn)線產(chǎn)能爬坡與良率提升，持續(xù)降低碳化硅器件成本，而理想的模塊自研則推動核心技術向應用端高效轉(zhuǎn)化，兩者形成的合力正在加速 800V 高壓平臺的普及。數(shù)據(jù)顯示，搭載該方案的理想車型可支持 300 千瓦以上超快充功率，實現(xiàn) 10 分鐘補能 500 公里的用戶體驗。

展望未來，三安半導體計劃在未來三至五年持續(xù)加大車規(guī)級 SiC MOSFET 與 GaN 研發(fā)投入，重慶基地 2000片/月的 8 英寸襯底產(chǎn)能也將逐步釋放；理想汽車則將在純電車型中全系應用該技術方案，并深化與三安在下一代芯片與模塊集成上的合作。隨著國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從材料、芯片到模塊應用的全面成熟，中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)正實現(xiàn)核心動力部件的自主可控。