深入解析 onsemi NCx57080y/NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

在高功率應(yīng)用領(lǐng)域，工程師們一直在尋找能夠提升系統(tǒng)效率和可靠性的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCx57080y 和 NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器就是這樣一款出色的產(chǎn)品。今天，我們就來(lái)深入剖析這款驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)、應(yīng)用以及使用中的關(guān)鍵要點(diǎn)。

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產(chǎn)品概述

NCx57080y 和 NCx57081y 具有 3.75 kVrms 內(nèi)部電流隔離，專為高功率應(yīng)用中的高系統(tǒng)效率和可靠性而設(shè)計(jì)。它接受互補(bǔ)輸入，根據(jù)引腳配置，提供了多種選項(xiàng)，如主動(dòng)米勒鉗位（版本 A）、負(fù)電源（版本 B）以及單獨(dú)的高低（OUTH 和 OUTL）驅(qū)動(dòng)器輸出（版本 C），為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大的便利。該驅(qū)動(dòng)器可適應(yīng) 3.3 V 至 20 V 的寬范圍輸入偏置電壓和信號(hào)電平，采用窄體 SOIC - 8 封裝。

框圖

一、產(chǎn)品概述

NCx57080y 和 NCx57081y 是 onsemi 推出的高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，具備 3.75 kVrms 內(nèi)部電流隔離特性。在高功率應(yīng)用里，系統(tǒng)的效率和可靠性至關(guān)重要，而這款驅(qū)動(dòng)器正能滿足這兩方面的需求。它接受互補(bǔ)輸入，并且依據(jù)不同的引腳配置，提供了多種實(shí)用選項(xiàng)。比如版本 A 具備主動(dòng)米勒鉗位功能，版本 B 支持負(fù)電源，版本 C 則提供單獨(dú)的高低（OUTH 和 OUTL）驅(qū)動(dòng)器輸出，這極大地方便了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器可適應(yīng) 3.3 V 至 20 V 的寬范圍輸入偏置電壓和信號(hào)電平，采用窄體 SOIC - 8 封裝，在空間利用上也較為出色。

二、產(chǎn)品特性

1. 高輸出電流：擁有高達(dá) ±6.5 A 的高峰值輸出電流，能夠?yàn)?IGBT/MOSFET 提供強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力，確保其穩(wěn)定工作。
2. 低鉗位電壓降：在版本 A 中，低鉗位電壓降特性消除了對(duì)負(fù)電源的需求，有效防止了虛假柵極導(dǎo)通現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
3. 短傳播延遲與精確匹配：具備短傳播延遲且能精確匹配，保證了信號(hào)傳輸?shù)募皶r(shí)性和準(zhǔn)確性，減少了信號(hào)失真。
4. 柵極鉗位與主動(dòng)下拉：在短路時(shí)能夠?qū)?IGBT/MOSFET 柵極進(jìn)行鉗位，并實(shí)現(xiàn)主動(dòng)下拉，保護(hù)器件免受損壞。
5. 寬偏置電壓范圍：包括負(fù) VEE2（版本 B），能適應(yīng)不同的電源環(huán)境，增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)器的通用性。
6. 邏輯輸入兼容性：支持 3.3 V、5 V 和 15 V 邏輯輸入，方便與各種邏輯電路接口。
7. 高隔離電壓：達(dá)到 3.75 kVRMS VISO (I - O)，滿足 UL1577 要求，同時(shí)還獲得了多項(xiàng)安全和法規(guī)認(rèn)證，如 UL1577 認(rèn)證、DIN VDE V 0884 - 11 認(rèn)證（待通過(guò)），確保了使用的安全性。
8. 高抗干擾能力：具有高瞬態(tài)抗擾度和高電磁抗擾度，能在復(fù)雜的電磁環(huán)境中穩(wěn)定工作。
9. 汽車級(jí)應(yīng)用支持：NCV 前綴適用于汽車和其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用，經(jīng)過(guò) AEC - Q100 認(rèn)證且具備 PPAP 能力。
10. 環(huán)保特性：該器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，響應(yīng)了環(huán)保需求。

三、典型應(yīng)用

1. 電機(jī)控制：在電機(jī)控制系統(tǒng)中，該驅(qū)動(dòng)器能夠?yàn)?IGBT/MOSFET 提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，確保電機(jī)的精確控制和高效運(yùn)行。
2. 不間斷電源 (UPS)：為 UPS 中的功率器件提供可靠的驅(qū)動(dòng)，保障在市電中斷時(shí)能夠及時(shí)切換到備用電源，維持設(shè)備的正常運(yùn)行。
3. 汽車應(yīng)用：憑借其汽車級(jí)的認(rèn)證和特性，可用于汽車電子系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換和控制，如電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
4. 工業(yè)電源：在工業(yè)電源領(lǐng)域，能夠提高電源的效率和可靠性，滿足工業(yè)設(shè)備對(duì)電源的高要求。
5. 太陽(yáng)能逆變器：幫助太陽(yáng)能逆變器將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，提高太陽(yáng)能的利用效率。
6. 暖通空調(diào) (HVAC)：用于 HVAC 系統(tǒng)中的壓縮機(jī)控制等，實(shí)現(xiàn)節(jié)能和穩(wěn)定運(yùn)行。

四、電氣特性詳解

1. 電源電壓相關(guān)特性
   • 欠壓鎖定 (UVLO)：UVLO 功能確保了連接到驅(qū)動(dòng)器輸出的 IGBT/MOSFET 能夠正確開關(guān)。當(dāng)輸入側(cè)電源 VDD1 低于 VuvLO1 - OUT - OFF 或輸出側(cè)電源 VDD2 低于 VuvLO2 - OUT - OFF 時(shí)，IGBT/MOSFET 會(huì)被關(guān)斷，輸出被禁用。只有當(dāng) VDDX 上升到 VuvLOX - OUT - ON 以上，且輸入信號(hào)的上升沿施加到 IN + 或 IN - 時(shí)，驅(qū)動(dòng)器輸出才會(huì)跟隨輸入信號(hào)。
   • 電源靜態(tài)電流：輸入側(cè)和輸出側(cè)電源在不同狀態(tài)下的靜態(tài)電流較小，如輸入側(cè)在 IN + 和 IN - 為低電平時(shí)，IDD1 - 0 - 3.3、IDD1 - 0 - 5、IDD1 - 0 - 15 均為 2 mA，輸出側(cè)在無(wú)負(fù)載且 IN + 和 IN - 為低電平時(shí)，IDD2 - 0 和 IDD2 - 100 也為 2 mA，這有助于降低系統(tǒng)功耗。
2. 邏輯輸入與輸出特性
   • 輸入電壓閾值：IN + 和 IN - 的低輸入電壓 VIL 為 0 至 0.3xVDD1，高輸入電壓 VIH 為 0.7xVDD1 至 VDD1，且具有 0.15xVDD1 的輸入滯后電壓，確保了輸入信號(hào)的穩(wěn)定識(shí)別。
   • 輸入電流：在不同的輸入電壓和 VDD1 下，IN - 和 IN + 的輸入電流較小，如 VIN - = 0V 時(shí)，IN - 在 VDD1 為 3.3 V、5 V、15 V、20 V 時(shí)輸入電流均為 100 μA，這對(duì)前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載要求較低。
3. 驅(qū)動(dòng)器輸出特性
   • 輸出高低電平電壓：輸出低電平 VOUTL1 和 VOUTL2 在不同的負(fù)載電流下有相應(yīng)的電壓降，如 ISINK = 200 mA 時(shí)，VOUTL2 為 - 0.15 至 0.3 V；輸出高電平 VOUTH1 和 VOUTH2 在不同的負(fù)載電流下也有明確的電壓范圍，如 ISRC = 200 mA 時(shí)，VOUTH2 為 0.2 至 0.35 V。
   • 峰值驅(qū)動(dòng)電流：源極和漏極的峰值驅(qū)動(dòng)電流分別可達(dá) 6.5 A，能夠滿足 IGBT/MOSFET 的快速開關(guān)需求。
4. 米勒鉗位特性（版本 A）
   • 鉗位電壓：在不同的負(fù)載電流和溫度下，鉗位電壓 VCLAMP 有明確的范圍，如 ICLAMP = 2.5 A 且 TA = 25°C 時(shí)，VCLAMP 為 2 至 3.5 V。
   • 鉗位激活閾值：VCLAMP - THR 為 1.5 至 2.5 V，當(dāng)柵極電壓低于該閾值時(shí)，鉗位功能啟動(dòng)，防止 IGBT/MOSFET 誤開啟。
5. IGBT 短路鉗位特性
   • 在不同的輸入和負(fù)載條件下，如 IN + 為低、IN - 為高且 CLAMP - OUT/OUTH = 500 mA 時(shí)，鉗位電壓 VCLAMP - OUTH 為 0.7 至 1.3 V，確保在短路時(shí)能夠?qū)?IGBT 進(jìn)行有效保護(hù)。
6. 動(dòng)態(tài)特性
   • 傳播延遲：IN + 和 IN - 到輸出高的傳播延遲在不同的 VDD1 和負(fù)載電容下有一定的范圍，如 CLOAD = 10 nF 且 VDD1 = 3.3 V 時(shí)，tPD - ON - 3.3 為 40 至 90 ns，保證了信號(hào)傳輸?shù)募皶r(shí)性。
   • 上升和下降時(shí)間：在負(fù)載電容 CLOAD = 1 nF 時(shí)，上升時(shí)間 tRISE 和下降時(shí)間 tFALL 典型值均為 13 ns，有助于實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。

五、使用注意事項(xiàng)

1. 欠壓鎖定 (UVLO) 相關(guān)
   • 當(dāng)驅(qū)動(dòng)高負(fù)載柵極電容（超過(guò) 10 nF）時(shí)，要嚴(yán)格遵循去耦電容的布線指南，去耦電容值至少為 10 μF，同時(shí)要使用最小阻值為 2 Ω 的柵極電阻，以避免高 di/dt 對(duì)內(nèi)部電路（如 UVLO2）產(chǎn)生干擾。
   • 驅(qū)動(dòng)器上電后，需要在 IN + 施加上升沿或在 IN - 施加下降沿，輸出才會(huì)開始跟隨輸入，這可以防止在 VDD1 或 VDD2 在輸入 PWM 脈沖中間施加時(shí)輸出產(chǎn)生部分脈沖。
2. 主動(dòng)米勒鉗位保護(hù)
   • 版本 A 中，為防止 IGBT/MOSFET 因米勒電容的額外電荷而開啟，CLAMP 引腳應(yīng)直接連接到 IGBT/MOSFET 柵極，通過(guò)低阻抗的 CLAMP 晶體管吸收米勒電流。
   • 當(dāng)應(yīng)用中控制單元和驅(qū)動(dòng)器輸入側(cè)使用獨(dú)立或分離的電源時(shí)，所有輸入都應(yīng)通過(guò)串聯(lián)電阻進(jìn)行保護(hù)，以防止驅(qū)動(dòng)器電源故障時(shí)輸入保護(hù)電路過(guò)載損壞驅(qū)動(dòng)器。
3. 電源供應(yīng)
   • 驅(qū)動(dòng)器的 A 和 C 版本支持單極性電源，B 版本支持雙極性電源。對(duì)于可靠驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET 柵極，需要合適的外部電源電容。在大多數(shù)應(yīng)用中，100 nF + 4.7 μF 低 ESR 陶瓷電容的并聯(lián)組合是不錯(cuò)的選擇；對(duì)于柵極電容超過(guò) 10 nF 的 IGBT 模塊，可能需要更高的去耦電容（如 100 nF + 10 μF），并且電容應(yīng)盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器的電源引腳。
   • 在雙極性電源中，通常 VDD2 提供 15 V 正電壓，VEE2 提供 - 5 V 負(fù)電壓，負(fù)電源可以防止通過(guò)內(nèi)部 IGBT/MOSFET 輸入電容的動(dòng)態(tài)開啟；在單極性電源中，通常 VDD2 提供 15 V 正電壓，版本 A 的主動(dòng)米勒鉗位功能可以防止因內(nèi)部米勒電容引起的誤開啟。

六、總結(jié)

onsemi 的 NCx57080y 和 NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器以其豐富的特性、廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和出色的電氣性能，為高功率應(yīng)用領(lǐng)域提供了一個(gè)可靠的解決方案。作為電子工程師，在設(shè)計(jì)高功率系統(tǒng)時(shí)，充分了解和合理應(yīng)用這款驅(qū)動(dòng)器，能夠有效提升系統(tǒng)的效率和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類似驅(qū)動(dòng)器的使用難題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。