WBG功率器件的開關(guān)性能介紹
新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細的分析了開關(guān)性能,損耗計算以及測試,仿真技巧.
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
ti
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
8030瀏覽量
214958 -
仿真
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
4289瀏覽量
135880 -
功率
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
2100瀏覽量
71734
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
電源功率器件篇：線路寄生電感對開關(guān)器件的影響
開關(guān)器件作為數(shù)字電源的核心部件，其性能直接影響整個電源系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。隨著開關(guān)頻率從傳統(tǒng)的 kHz 級躍升至 MHz 級，以及碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)
發(fā)表于 07-02 11:22
使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗
，而使用像碳化硅 (SiC) 這樣的基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的功率器件就可以滿足這些要求，而且這種技術(shù)還在不斷改進。 為什么選擇 SiC？ 與硅 (Si) 相比，SiC 等 WBG
什么是功率器件？特性是什么？包含哪些？
、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W，在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定性能。 一、主要分類 ? 按器件結(jié)構(gòu)劃分 ? ? 二極管 ?：如整流二極管、快恢復(fù)二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位； ? 晶體管 ?：含雙極結(jié)型晶體
功率器件開關(guān)功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試
功率器件（MOSFET/IGBT） 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電
發(fā)表于 05-14 09:03
?392次閱讀
芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗
在功率器件的世界里，開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。
浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
主導(dǎo)著逆變器設(shè)計領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得
逆變電路中功率器件的損耗分析
在研究逆變電路的損耗時，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性，同時還需要進行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為
碳化硅功率器件的散熱方法
產(chǎn)生大量熱量，如果散熱不良，會導(dǎo)致器件性能下降甚至失效。因此，高效的散熱方法對于確保碳化硅功率器件的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。本文將詳細介紹碳化硅
碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景
功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢，例如提高功率密度和效率，因此可能非常適合于空間應(yīng)用。然而，這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細考慮。本文概述了在飛
原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器
WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)
：RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對 WBG 柵極驅(qū)動器應(yīng)用進行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料，因其開關(guān)更快且損耗更低，相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域更具優(yōu)勢。對于需要關(guān)鍵考
發(fā)表于 09-27 15:05
?1079次閱讀
碳化硅功率器件的優(yōu)越性能
碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件
如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能
由于對提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中，高溫和溫度波動限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)
功率器件功率循環(huán)測試原理詳解
了爆發(fā)式的增長。與消費電子市場相比，車規(guī)級功率半導(dǎo)體器件所面臨的挑戰(zhàn)更為嚴峻，因其需要在高工作結(jié)溫、高功率密度和高開關(guān)頻率等嚴苛條件下穩(wěn)定運行，同時還需要在更為惡劣的使用環(huán)境中保持出色
工商網(wǎng)監(jiān)
評論