自2018年開始，功率MOSFET的平均售價持續(xù)上升，其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長幅度最顯著，已位居價格中的首位。

至于其他中低電壓的功率MOSFET產(chǎn)品成長幅度較小，但仍緩步上升。

因平均售價成長趨勢的差異化表現(xiàn)，12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠的建立及高電壓功率MOSFET產(chǎn)品布局，或?qū)⒊蔀槲磥韽S商發(fā)展重點。

中低電壓功率MOSFET價格小幅成長，將由12寸晶圓制程提高利潤。

過去功率MOSFET以8寸晶圓制造為主，在制程成熟度與穩(wěn)定性上達到平衡，并已完成優(yōu)化。

MOSFET是目前最常用的功率半導(dǎo)體器件之一，泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。

在消費類電子產(chǎn)品需求不斷增加下，8寸晶圓需要制造的產(chǎn)品也增加，包括相關(guān)芯片等，讓8寸晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)吃緊狀態(tài)，引發(fā)8寸晶圓廠產(chǎn)能不足的問題。

因此對功率MOSFET的客戶來說，轉(zhuǎn)進12寸晶圓廠是絕佳選擇。

目前具12寸晶圓廠制造功率MOSFET量產(chǎn)能力的廠商是英飛凌，已有1座12寸功率半導(dǎo)體廠房生產(chǎn)，且計劃興建第二座，預(yù)計2021年開始量產(chǎn)。

從英飛凌官方資料來看，12寸廠具有6%成本效益，能帶來約2%增幅，因此未來將持續(xù)擴大12寸晶圓制造。

另外，AOS為市場上第二家將以12寸晶圓廠制造功率MOSFET的廠商，預(yù)計于2019下半年量產(chǎn)供貨。

AOS認(rèn)為，12寸晶圓制造最直接優(yōu)勢在產(chǎn)能，且在降低制造成本及提升良率方面也較8寸廠優(yōu)秀。

ON Semiconductor也購入12寸晶圓廠，準(zhǔn)備生產(chǎn)功率半導(dǎo)體相關(guān)元件。

低壓功率MOSFET的平均售價趨勢可發(fā)現(xiàn)，其價格相對平緩，近期價格雖有上漲但幅度很小。

因此降低生產(chǎn)成本為提升毛利潤必要條件，也令12寸晶圓制造功率MOSFET備受重視，未來中低電壓功率MOSFET在無法通過抬高價格來創(chuàng)造高利潤的情況下，憑借12寸廠成本優(yōu)勢仍有機會貢獻利潤率，并解決產(chǎn)能不足問題。

高電壓功率MOSFET表現(xiàn)亮眼。

功率半導(dǎo)體在終端的產(chǎn)品使用中越來越廣泛，尤其近年在車用、5G與高端運算等，也吸引主要大廠積極投入開發(fā)高電壓功率MOSFET產(chǎn)品，拉動平均售價大幅度成長。

為達到高電壓功率MOSFET市場與技術(shù)需求，在主要供應(yīng)鏈廠商中，英飛凌、安森美、STM、ROHM、AOS等積極開發(fā)研究含有SiC的功率MOSFET元件，除歐美日大廠外，陸系廠商比亞迪、臺系廠商強茂也積極開發(fā)SiC 功率MOSFET產(chǎn)品。

SiC功率半導(dǎo)體具耐高溫、耐高電壓、切換速度快。隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，SiC功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。

但需求也導(dǎo)致市場上基于SiC的器件供應(yīng)緊張，促使一些供應(yīng)商在棘手的晶圓尺寸過渡期間增加晶圓廠產(chǎn)能。

值得一提的是，由于SiC與GaN晶圓的制造成本較高，也是拉抬高電壓功率MOSFET價格的主要推手之一。

總體而言，歐美日大廠看好高規(guī)格功率MOSFET的未來發(fā)展。

同時，全球電動車市場加速成長，對MOSFET需求急迫，在汽車應(yīng)用領(lǐng)域的銷量超越了計算和數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，占總體市場的20%以上。

隨著MOSFET不斷發(fā)展，相關(guān)廠商盈利也將會有望進一步提升。