動態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:19

  國硅集成250V 1.2A 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片-G2021

  

  產(chǎn)品型號：G2021 最高工作電壓為：+250V dVS/dt耐受能力：±50 V/ns 負偏壓能力達：-9V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-28 15:31

  芯朋微65W氮化鎵充電器快充開關(guān)電源管理芯片方案

  

  產(chǎn)品型號： PN8213 模式：PWM Controller 待機功耗：<50mW VDD工作電壓 ：9V-56V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-26 11:36

  芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片

  

  產(chǎn)品型號：PN8215

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-16 13:47

  芯朋微代理商acdc非隔離電源芯片PN8052H

  

  產(chǎn)品型號：PN8052H MOIS管耐壓：700V 輸出電壓：15V 半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率：3.0W@230VAC

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-05 16:39

  國硅集成 NSG27710單相高低側(cè)功率柵極驅(qū)動芯片

  

  產(chǎn)品型號：NSG27710 芯片耐壓：650V 輸入邏輯：兼容3.3V, 5V和15V 延遲匹配時間小于：50ns

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-04 15:20

  NSG21867 國硅集成700V 大電流高、低側(cè) MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

  

  產(chǎn)品型號：NSG21867 最高工作電壓為：700V Vs負壓耐受能力：-9V 柵極驅(qū)動電壓：10V到20V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-04 10:10

  國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機驅(qū)動芯片

  

  產(chǎn)品型號：NSG2153D 最高工作電壓為：+600V VCC鉗位電壓：15.6V 正/負欠壓閾值：11V/9V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-02 10:48

  國硅集成NSG2065Q 250V 集成自舉的三相柵極驅(qū)動芯片應(yīng)用于電機驅(qū)動

  

  產(chǎn)品型號：NSG2065Q 型號 ：NSG2065 封裝/規(guī)格 ：QFN24 包裝 ：托盤

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-02 10:40

  國硅集成G2063Q 250V 1.5A 三相高低側(cè)功率柵極驅(qū)動芯片應(yīng)用電機驅(qū)動

  

  產(chǎn)品型號：G2063Q 品牌 ：國硅集成 型號 ：G2063Q 封裝/規(guī)格： 貼片

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-02 10:29

  國硅集成G2061Q 250V 1.5A 三相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片應(yīng)用空調(diào)洗衣機板

  

  產(chǎn)品型號：G2061Q 型號 ：G2061Q 封裝/規(guī)格 ：貼片 包裝 ：托盤

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