動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:09

  C3M0040120D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0040120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:03

  C3M0040120J1碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0040120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 20:56

  C3M0032120K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0032120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 11:21

  CG2H80045D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 擊穿電壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:52

  CG2H80030D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:40

  CG2H80015D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:04

  CG2H40120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120F-AMP 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:01

  CG2H40120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120F 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:58

  CG2H40120P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120P 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:23

  CG2H40045F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40045F-AMP 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 18 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益

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