動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-11-20 08:10

  直播預(yù)告 | @11/22 數(shù)字電源+SiC碳化硅器件解決方案在新能源汽車及儲能行業(yè)應(yīng)用

  

  隨著傳統(tǒng)化石能源的供應(yīng)不穩(wěn)定因素增加以及國家碳達(dá)峰，碳中和的要求,太陽能、風(fēng)能等可再生能源需求急增，同樣新能源汽車也是我國汽車發(fā)展的重點(diǎn)方向，發(fā)展日新月異。這兩個(gè)行業(yè)中對電能的存儲，轉(zhuǎn)換和傳輸都提出了越來越高的要求，如何提供開關(guān)頻率，降低轉(zhuǎn)換損耗，增加功率密度，降低開發(fā)難度及開發(fā)周期是當(dāng)下最熱門的話題。Microchip的Level4純數(shù)字電源方案結(jié)合其高性

  電源 新能源汽車

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 08:09

  找方案 | 基于Microchip dsPIC33CK256MP506 高性能DSP開發(fā)的4KW圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

  

  隨著效率要求的逐步提高，無橋PFC得到越來越多的應(yīng)用。而無橋PFC中，圖騰柱PFC由于可以消除二極管的損耗而成為效率最高的PFC線路,硅管做圖騰柱PFC，只能做CrM或者DCM，CCM下反向恢復(fù)損耗太大，效率沒有優(yōu)勢。所以我們是用目前最新的GaN功率開關(guān)器件來做，設(shè)計(jì)的是CCMtotemPolePFC，PWM開關(guān)頻率是66KHz，輔助電源供電12VDC，輸入

  電源

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 08:06

  學(xué)技術(shù) | 充電器大一統(tǒng)：USB Type-C接口PD協(xié)議解決方案

  

  充電器大一統(tǒng)：USBType-C接口PD協(xié)議解決方案2022年10月24日，歐洲理事會最終批準(zhǔn)了“在歐盟范圍內(nèi)統(tǒng)一充電器接口”的法案。這意味著到2024年，USB-C（USBType-C）接口將成為一系列電子設(shè)備的必備品，如手機(jī)、平板電腦和耳機(jī)。可以設(shè)想，未來帶著手機(jī)、電腦、pad和耳機(jī)等一系列電子產(chǎn)品出門，包里只需帶一根充電器是一種怎樣的體驗(yàn)。難怪歐盟輪值

  充電器

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 08:04

  找方案 | 設(shè)計(jì)基于STM32G431的MCU控制卡實(shí)現(xiàn)小體積300W BLDC馬達(dá)控制

  

  馬達(dá)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能，是所有各型機(jī)械負(fù)載動力的來源。馬達(dá)應(yīng)用的場合，軟、硬式磁盤機(jī)，半導(dǎo)體制程設(shè)備，機(jī)密電腦數(shù)值工具機(jī)、電動載具(電動腳踏車、電動機(jī)車、電動汽車)等，均必須借由馬達(dá)驅(qū)動負(fù)載達(dá)到自動化、省力、省電等目的。根據(jù)輸入電源的形式，馬達(dá)大致分為直流與交流兩大類。交流馬達(dá)大致可分為三類：同步馬達(dá)、感應(yīng)馬達(dá)及磁阻馬達(dá)。同步馬達(dá)又可分為永磁式同步馬達(dá)與無刷

  mcu

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 08:03

  學(xué)技術(shù) | ST 具有兩種增強(qiáng)型GaN HEMT的高功率密度集成600V半橋驅(qū)動器MASTERGAN4介紹

  

  MASTERGAN4介紹ST推出世界首款集成半橋驅(qū)動IC和一對氮化鎵（GaN）的MASTERGAN產(chǎn)品平臺。該解決方案可用于最高400W以下的一代消費(fèi)性電子、工業(yè)充電器，以及電源轉(zhuǎn)接器等。MASTERGAN4是一款集成了柵極驅(qū)動器和兩個(gè)半橋配置增強(qiáng)型GaN功率晶體管的先進(jìn)功率系統(tǒng)封裝。集成功率GaN具有650V漏源阻斷電壓和225m?的RDS（ON）,而嵌入

  驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 08:01

  找方案 | 基于Mediatek AIoT Genio1200 的即時(shí)影像物件識別方案

  

  在MediaTekAIoTGenio1200平臺上，MediaTek提供許多不同的軟件解決方案，伙伴們可通過CPU、GPU和APU來提供AI計(jì)算能力。在開發(fā)和部署廣泛的機(jī)器學(xué)習(xí)時(shí)，決大部分會為了推演自行開發(fā)出的模型，來提供硬件加速功能，伙伴們也可通過圖形處理器來啟用TensorFlotLite模型的硬件加速。MediaTekAIoTGenio1200boar

  機(jī)器學(xué)習(xí)

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 07:58

  學(xué)技術(shù) | 世平安森美碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品的特性與應(yīng)用

  

  一、第三代半導(dǎo)體介紹：首先簡單介紹一下第一、二代半導(dǎo)體。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中，第一代半導(dǎo)體是「硅」（Si），第二代半導(dǎo)體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半導(dǎo)體（又稱「寬能隙半導(dǎo)體」，WBG）則是「碳化硅」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。寬能隙半導(dǎo)體中的「能隙」（EnergyGap），以白話方式說明，便是代表著（一個(gè)單位能量的差距），意思就是讓一個(gè)半導(dǎo)體「從絕

  SiC 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 07:57

  找方案 | 世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

  

  現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOSMOSFET和

  驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 07:55

  看直播 | @11/24 能源危機(jī)引爆儲能商機(jī)－安森美ESS儲能系統(tǒng)碳化硅方案攻略

  

  全球極端氣候造成的災(zāi)害已嚴(yán)重威脅人類生存環(huán)境，如何節(jié)能減碳并提高再生能源比例已經(jīng)成為全球趨勢。特別在2050年全球凈零碳排的目標(biāo)下，世界各國無不投入龐大資源及制定政策以達(dá)成目標(biāo)。然而，在受到不穩(wěn)定氣候的影響下，再生能源如：水力、風(fēng)力或太陽能都有發(fā)電質(zhì)量波動過大的問題，再生能源無法穩(wěn)定供應(yīng)電力，如何提高供電可靠度以確保人類活動不受影響益顯重要。因此，在創(chuàng)能之外

  SiC

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• 發(fā)布了方案 2022-11-14 11:42

  基于Mediatek AIoT Genio1200 的即時(shí)影像物件識別方案

  

  在MediaTek AIoT Genio1200平臺上，MediaTek 提供許多不同的軟件解決方案，伙伴們可通過CPU、GPU和APU來提供 AI 計(jì)算能力。在開發(fā)和部署廣泛的機(jī)器學(xué)習(xí)時(shí)，決大部分會為了推演自行開發(fā)出的模型，來提供硬件加速功能，伙伴們也可通過圖形處理器來啟用 TensorFlot Lite模型的硬件加速。

  AI AIoT

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