動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-12-03 17:59

  外置晶振在高溫下頻偏會(huì)增大嗎？

  

  搶先知道外置晶振的頻率偏移通常會(huì)隨著溫度變化，高溫是導(dǎo)致頻偏增大的主要原因之一。這幾乎是所有基于石英晶體的振蕩器的固有特性。溫測(cè)曲線(xiàn)圖為了直觀(guān)理解，下圖展示了一條典型的晶振頻率-溫度曲線(xiàn)：從上圖可以看出，在常溫（25℃）附近頻偏最小，而隨著溫度向兩端（特別是高溫端）變化，頻率偏差會(huì)顯著增大。溫度穩(wěn)定性如何量化晶振應(yīng)對(duì)溫度變化的穩(wěn)定性，通常用“溫度穩(wěn)定性”這個(gè)

  晶振

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• 發(fā)布了文章 2025-11-14 18:09

  溫度越高晶振的輸出頻率也會(huì)越高嗎

  

  溫度越高晶振的輸出頻率也會(huì)越高嗎Howdoestemperatureaffectfrequency這是一個(gè)非常經(jīng)典的問(wèn)題。答案并不是簡(jiǎn)單的“是”或“否”，因?yàn)樗Q于晶振的類(lèi)型和其內(nèi)部采用的補(bǔ)償技術(shù)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)：普通晶振（尤其是無(wú)源晶振）：溫度升高，頻率通常會(huì)降低。帶溫度補(bǔ)償?shù)木д瘢═CXO）：溫度升高，頻率基本保持不變。恒溫晶振（OCXO）：溫度升高，頻率絕

  晶振 輸出頻率

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• 發(fā)布了文章 2025-11-13 18:13

  為什么長(zhǎng)時(shí)間工作后晶振頻率精度變差了？

  

  為什么長(zhǎng)時(shí)間工作后晶振頻率精度變差了？長(zhǎng)時(shí)間工作后晶振頻率精度變差，通常被稱(chēng)為頻率漂移，其背后是多種物理和化學(xué)因素共同作用的結(jié)果。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，核心原因是晶振的“老化”。就像機(jī)械零件會(huì)磨損一樣，晶振這個(gè)電子零件也會(huì)隨著時(shí)間和工作而“老化”，導(dǎo)致其振動(dòng)特性發(fā)生微小變化。以下是導(dǎo)致這種現(xiàn)象的幾個(gè)主要原因，從主到次排列：1.晶振老化這是最根本、最主要的原因。老化是一個(gè)

  晶振 電極

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• 發(fā)布了文章 2025-11-13 18:13

  什么是晶振的雜散電容？

  

  什么是晶振的雜散電容？晶振的雜散電容，也叫做寄生電容，是指電路中非人為設(shè)計(jì)、由物理結(jié)構(gòu)自然產(chǎn)生的、有害的隱藏電容。它為什么重要？（影響）雜散電容之所以關(guān)鍵，是因?yàn)樗鼤?huì)直接影響晶振的振蕩頻率精度。核心關(guān)系在于“負(fù)載電容”的計(jì)算公式：C_Load=(C1*C2)/(C1+C2)+C_strayC_Load：晶振正常工作需要的總負(fù)載電容（例如12.5pF或9pF）

  寄生電容 晶振 雜散電容

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• 發(fā)布了文章 2025-10-31 18:15

  華昕|如何測(cè)量晶振好壞-最后一種最實(shí)用

  

  網(wǎng)傳很多晶振的測(cè)量方法，都說(shuō)的頭頭是道，可是經(jīng)華昕FAE實(shí)際實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，很多沒(méi)有效果，萬(wàn)用表，測(cè)電筆，示波器到底哪種才是最準(zhǔn)確的。我們測(cè)試一下網(wǎng)上說(shuō)的幾種測(cè)試晶振好壞的方法，看一下他們是否好用。01電阻測(cè)量法將萬(wàn)用表打到歐姆檔，然后紅黑表筆接觸晶振的兩個(gè)引腳，如果電阻顯示無(wú)窮大，說(shuō)明晶振是好的，但是這種測(cè)量方法只能說(shuō)這個(gè)晶振在產(chǎn)生短路等情況時(shí)，能夠比較容易測(cè)量

  晶振 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2025-10-17 17:58

  采購(gòu)篇：晶振的價(jià)格主要由什么決定的？

  

  對(duì)晶振采購(gòu)來(lái)說(shuō)晶振的價(jià)格是一個(gè)很重要的因素，都想買(mǎi)到價(jià)格盡量低一點(diǎn)的，一個(gè)不可避開(kāi)的問(wèn)題經(jīng)?？M繞眼前——晶振價(jià)格主要是由什么決定的？一、類(lèi)型與結(jié)構(gòu)分為無(wú)源晶體和有源晶振，有源晶振內(nèi)部結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，有源晶振內(nèi)含振蕩IC和石英晶體在內(nèi)的最佳匹配振蕩電路，有源晶振通常比無(wú)源晶體貴；高端的溫補(bǔ)(TCXO)、恒溫(OCXO)晶振價(jià)格更高。二、晶振的封裝晶振封裝尺寸大全目

  IC 晶振 石英晶體

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• 發(fā)布了文章 2025-09-26 18:13

  什么是高溫晶振？低溫晶振？寬溫晶振？

  

  現(xiàn)今，隨著人們生活水平越來(lái)越高，電子數(shù)碼產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景和環(huán)境也越來(lái)越多樣，科技正在迅速擴(kuò)展到越來(lái)越極端的環(huán)境中。而在這些環(huán)境中，尤其是電子元件必須承受極低或極高的溫度，才可能保障設(shè)備在極端氣侯下正常運(yùn)行。01耐高溫晶振High-TemperatureCrystalOscillator01定義指能夠在高于標(biāo)準(zhǔn)或常規(guī)工作溫度范圍上限的環(huán)境下穩(wěn)定工作的石英晶體振蕩器

  晶振 電子元件

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• 發(fā)布了文章 2025-08-12 18:23

  為什么要做晶振匹配測(cè)試？

  

  crystaloscillator為什么要做晶振匹配測(cè)試？了解振蕩電路的其他元件為什么要做晶振匹配測(cè)試？因?yàn)橐?yàn)證測(cè)試晶振是否超出頻率偏差，晶振在實(shí)際工作中的輸出頻率偏差太大，可能超出時(shí)鐘芯片對(duì)其的捕捉范圍，造成指令錯(cuò)誤，引發(fā)系統(tǒng)紊亂。因此在樣機(jī)階段，上板測(cè)試并驗(yàn)證晶振實(shí)際輸出的頻率精度是否合格尤為關(guān)鍵。實(shí)際工作中的輸出頻率偏差太大的原因：1、電路中的負(fù)載電

  振蕩電路 晶振 測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2025-08-12 18:23

  華昕電子|高性能Glass晶振,高性?xún)r(jià)比賦能

  

  高性能Glass晶振高性?xún)r(jià)比賦能可穿戴領(lǐng)域Huaxin華昕是一家專(zhuān)注晶振研發(fā)生產(chǎn)的實(shí)業(yè)公司，致力于全系列無(wú)源晶體、有源晶振、溫補(bǔ)晶振、32.768KHz時(shí)鐘晶體、差分晶振的研發(fā)生產(chǎn)。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，助力數(shù)碼產(chǎn)品高效精準(zhǔn)運(yùn)行。01以市場(chǎng)為導(dǎo)向隨著市場(chǎng)的飛速發(fā)展，高可靠性、高效率、高性?xún)r(jià)比的元器件越來(lái)越受歡迎，尤其在消費(fèi)類(lèi)可穿戴領(lǐng)域、數(shù)傳領(lǐng)域、音頻領(lǐng)域的需求越發(fā)迫

  可穿戴 晶振

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• 發(fā)布了文章 2025-07-03 18:07

  32.768kHz晶振電容匹配指南

  

  32.768kHz晶振電容匹配指南選擇32.768kHz晶振的電容大小是一個(gè)關(guān)鍵的考慮因素，它直接影響到晶振的穩(wěn)定性和性能。在選擇電容時(shí)，我們需要充分考慮晶振的電氣參數(shù)、電路板的設(shè)計(jì)以及雜散電容的影響。核心公式與原理如下：負(fù)載電容計(jì)算公式CL=(C1×C2)/(C1+C2)+CsC1/C2：對(duì)稱(chēng)外接電容；Cs：雜散電容（2～5pF）。示例：CL=12.5pF

  晶振 電容

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