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諾芯盛科技

諾芯盛科技提供無(wú)線充發(fā)射+接收方案設(shè)計(jì)、芯片、PCBA電路板

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-07-16 11:03

    超級(jí)電容器能量密度測(cè)試方法

    本文介紹了超級(jí)電容器能量密度測(cè)試方法,包括原理、步驟及影響因素。
  • 發(fā)布了文章 2025-07-15 16:49

    1法拉電容等于多少毫安

    電容與電池在儲(chǔ)能原理上有本質(zhì)差異,1法拉電容等于360萬(wàn)毫安時(shí),實(shí)際應(yīng)用中必須考慮工作電壓窗口的限制。電容的有效能量輸出依賴(lài)電壓穩(wěn)定性,而電池的穩(wěn)定電壓特性與自放電率、溫度系數(shù)等參數(shù)有關(guān)。在設(shè)計(jì)電路時(shí),需要綜合考量這些參數(shù)。
  • 發(fā)布了文章 2025-07-15 16:09

    無(wú)線充電器的線圈是什么線

    無(wú)線充電器的核心部件是線圈,其材質(zhì)、結(jié)構(gòu)和技術(shù)特性直接影響充電效率與性能。銅和鋁線圈是主要選擇,銅線圈性能高,鋁線圈成本低,多股絞線或FPC柔性電路板適用于小型電子設(shè)備,鐵氧體/鐵粉芯加持可提升電感量。
  • 發(fā)布了文章 2025-07-14 12:09

    無(wú)線充電發(fā)射線圈參數(shù)設(shè)置

    無(wú)線充電發(fā)射線圈參數(shù)設(shè)置需考慮圓形與方形線圈選擇,多層線圈設(shè)計(jì)增大磁場(chǎng)覆蓋范圍,尺寸與功率匹配需綜合考慮。電阻降低可減少發(fā)熱,電感需精確匹配。諧振頻率需與接收端一致,不同應(yīng)用場(chǎng)景需有差異化需求。
  • 發(fā)布了文章 2025-07-14 10:41

    5.5v 法拉電容 需要均衡嗎?

    本文探討了5.5V法拉電容的電壓均衡問(wèn)題,并分析了失衡可能導(dǎo)致的性能衰減、熱失控和安全性問(wèn)題。電容組的均衡技術(shù)為解決這些問(wèn)題提供了解決方案,可有效提高系統(tǒng)的可靠性。此外,文章還介紹了在不同應(yīng)用場(chǎng)合下,如何選擇適合的電容均衡方案。
  • 發(fā)布了文章 2025-07-14 10:31

    法拉電容購(gòu)買(mǎi)選擇什么型號(hào)

    法拉電容選型需考慮應(yīng)用場(chǎng)景與關(guān)鍵技術(shù)參數(shù),容量與電壓匹配、ESR與溫度范圍等因素。容量與電壓選擇需科學(xué)取舍,容量大但耐壓或耐壓高但容量??;ESR與溫度范圍需關(guān)注,標(biāo)稱(chēng)值-40℃至105℃,實(shí)際環(huán)境溫度高電容壽命減半。
  • 發(fā)布了文章 2025-07-14 10:13

    超級(jí)電容器與鋰離子電池的區(qū)別在哪里?

    本文主要討論了超級(jí)電容器和鋰離子電池在儲(chǔ)能方面的差異。超級(jí)電容器的體積小、容量大,但能量密度低;而鋰離子電池體積大、容量小,但能量密度高。超級(jí)電容器的功率密度高,反應(yīng)速度快,壽命長(zhǎng),但需要適應(yīng)性更強(qiáng)的環(huán)境;而鋰離子電池在低溫下性能下降...
  • 發(fā)布了文章 2025-07-14 09:42

    無(wú)線充芯片SOP16:小身材,大能量

    本文主要介紹了無(wú)線充芯片SOP16的封裝設(shè)計(jì)、高效能低功耗、廣泛兼容性和技術(shù)創(chuàng)新特點(diǎn)。SOP16封裝技術(shù)的小巧體積和高效能低功耗特性,使其成為市場(chǎng)上的熱門(mén)選擇。此外,無(wú)線充芯片SOP16的廣泛兼容性使其能夠輕松融入各種應(yīng)用場(chǎng)景,推動(dòng)無(wú)...
  • 發(fā)布了文章 2025-07-11 17:14

    手機(jī)無(wú)線充電發(fā)熱嗎?

    本文探討了無(wú)線充電是否會(huì)發(fā)熱的問(wèn)題,通過(guò)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)分析,無(wú)線充電會(huì)在20%-30%的轉(zhuǎn)化率中損耗能量。發(fā)熱的幅度與場(chǎng)景有關(guān),且存在技術(shù)瓶頸和使用習(xí)慣因素。發(fā)熱的影響包括電池壽命的辯證關(guān)系和加速電池老化。
  • 發(fā)布了文章 2025-07-11 16:59

    無(wú)線充電發(fā)熱問(wèn)題

    本文探討了無(wú)線充電發(fā)熱的原因、影響及應(yīng)對(duì)策略。無(wú)線充電發(fā)熱主要由電磁感應(yīng)或磁共振等原理導(dǎo)致,表現(xiàn)為設(shè)備溫度升高。過(guò)熱對(duì)設(shè)備有潛在影響,如加速電池老化、引發(fā)安全隱患等。解決之道包括優(yōu)化充電環(huán)境、合理控制充電功率。

企業(yè)信息

認(rèn)證信息: 諾芯盛科技

聯(lián)系人:林龍

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地址:深圳市龍華區(qū)大浪街道華輝路同勝科技大廈A座1007

公司介紹:諾芯盛科技是一家專(zhuān)業(yè)致力于消費(fèi)類(lèi)電子,無(wú)線充電產(chǎn)品IC芯片研發(fā)及電路模塊應(yīng)用設(shè)計(jì)的技術(shù)型方案公司。公司成立于2022年,通過(guò)多年以來(lái)的發(fā)展,公司已在無(wú)線充電領(lǐng)域-涵括發(fā)射端+接收端應(yīng)用,公司擁有國(guó)內(nèi)尖端產(chǎn)品線芯片資源,匯集和培養(yǎng)了一批經(jīng)驗(yàn)豐富,設(shè)計(jì)能力超強(qiáng)的工程技術(shù)人員,公司先后成立了DC電源事業(yè)部,功率器件事業(yè)部,可提供無(wú)線充電(發(fā)射+接收)方案設(shè)計(jì)和PCBA模組及DC-DC升降壓芯片、電池充電管理IC、MOS管、IGBT、MOS驅(qū)動(dòng)芯片、超級(jí)/法拉電容器、LED去紋波/頻閃ic。  【公司產(chǎn)品渠道】:INJOINIC英集芯(無(wú)線充TX、充電IC),NuVolta伏達(dá)(無(wú)線充RX),COPO酷珀微(無(wú)線充RX),Vergiga威兆(MOS/IGBT),WINSOK微碩(MOS),F(xiàn)M富滿(mǎn)(充電管理ic),金譽(yù)/迪浦(二三極管、充電管理ic),Si-Power硅動(dòng)力(DC-DC降壓芯片),Zk中科(MOS/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 N531、N532),MAXIC美芯晟(去頻閃ic),JGNE山東精工(超級(jí)/法拉電容)。

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