動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-01-15 18:03

  四探針法測量Ti-Al-C薄膜的電阻率

  

  Ti-Al-C薄膜作為質(zhì)子交換膜燃料電池（PEMFC）金屬雙極板表面改性材料，其導(dǎo)電性能直接影響電池堆的輸出效率，電阻率是評估該性能的核心指標(biāo)。本文基于中頻磁控濺射制備的Ti-Al-C薄膜，采用Xfilm埃利四探針技術(shù)對不同基底（不銹鋼316L、石英片）、不同制備溫度（500-750℃）的薄膜電阻率進(jìn)行測量，分析溫度對薄膜電阻率的影響規(guī)律，為Ti-Al-C薄

  測量 電阻率 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-01-08 18:02

  二探針與四探針電阻測量法的區(qū)別

  

  在半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)與制備過程中，準(zhǔn)確測量其電學(xué)參數(shù)（如方阻、電阻率等）是評估材料質(zhì)量和器件性能的基礎(chǔ)。電阻率作為材料的基本電學(xué)參數(shù)之一，其測量方法的選取直接影響結(jié)果的可靠性。在多種電阻測量方法中，二探針法和四探針法是兩種常用且具有代表性的技術(shù)。本文Xfilm埃利將系統(tǒng)梳理并比較這兩種方法的原理、特點(diǎn)與應(yīng)用差異。二探針法/Xfilm（a）兩探針法測試示意

  四探針 測量 電阻

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• 發(fā)布了文章 2026-01-04 18:04

  四探針電阻測試 | CuNiC 三元合金的導(dǎo)電性能研究

  

  在電子材料領(lǐng)域，銅基合金因高導(dǎo)電性和低成本備受關(guān)注，但其易氧化特性限制了應(yīng)用。CuNiC三元合金通過引入鎳和碳，在提升抗氧化性的同時(shí)保持良好導(dǎo)電性，為高溫、高穩(wěn)定性的電子器件提供了新材料選項(xiàng)。本研究采用碳熱還原法制備不同配比的CuNiC合金，結(jié)合Xfilm埃利的四探針電阻測試技術(shù)，系統(tǒng)研究其導(dǎo)電性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系，以拓展其在功能性電子材料中的應(yīng)用。四探針電

  導(dǎo)電 測試

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• 發(fā)布了文章 2025-12-25 18:05

  基于四探針電阻測試的CuC 合金的導(dǎo)電性能研究

  

  在導(dǎo)電金屬材料體系中，銅（Cu）以卓越導(dǎo)電性及遠(yuǎn)低于金、銀的成本優(yōu)勢，成為電子漿料、催化等領(lǐng)域貴金屬替代潛力材料。但納米銅表面活性高，易氧化形成絕緣層，嚴(yán)重限制實(shí)際應(yīng)用。因此，行業(yè)多通過合金化改性銅材料，利用組分協(xié)同效應(yīng)賦予其優(yōu)于單一金屬的獨(dú)特性能。本研究聚焦CuC合金，采用碳熱還原法合成，借助Xfilm埃利的四探針技術(shù)系統(tǒng)測試導(dǎo)電性能，為開發(fā)高性能低成本銅

  導(dǎo)電 材料 電阻測試

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• 發(fā)布了文章 2025-12-18 18:06

  四探針法在薄膜電阻率測量中的優(yōu)勢

  

  薄膜電阻率是材料電學(xué)性能的關(guān)鍵參數(shù)，對其準(zhǔn)確測量在半導(dǎo)體、光電及新能源等領(lǐng)域至關(guān)重要。在眾多測量技術(shù)中，四探針法因其卓越的精確性與適用性，已成為薄膜電阻率測量中廣泛應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)方法之一。下文，Xfilm埃利將系統(tǒng)闡述四探針法的基本原理，重點(diǎn)分析其在薄膜電阻率測量中的核心優(yōu)勢，并結(jié)合典型應(yīng)用說明其重要價(jià)值。四探針法的基本原理/Xfilm四探針法的原理四探針法的理

  測量 電阻率

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• 發(fā)布了文章 2025-12-04 18:08

  四探針法測電阻的原理與常見問題解答

  

  四探針法是廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料、薄膜、導(dǎo)電涂層及塊體材料電阻率測量的重要技術(shù)。該方法以其無需校準(zhǔn)、測量結(jié)果準(zhǔn)確、對樣品形狀適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn)，在科研與工業(yè)檢測中備受青睞。在許多標(biāo)準(zhǔn)電阻率測定場合，四探針法甚至被用作校正其他方法的基準(zhǔn)。下文，Xfilm埃利將系統(tǒng)闡述四探針法的基本原理，并對實(shí)際應(yīng)用中遇到的常見問題進(jìn)行詳細(xì)解答。四探針法測電阻的基本原理/Xfilm1

  測量 電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-11-27 18:04

  基于四點(diǎn)探針法測量石墨烯薄層電阻的IEC標(biāo)準(zhǔn)

  

  自石墨烯在實(shí)驗(yàn)室中被成功分離以來，其基礎(chǔ)研究與工業(yè)應(yīng)用迅速發(fā)展。亟需建立其關(guān)鍵控制特性的標(biāo)準(zhǔn)測量方法。國際電工委員會發(fā)布的IECTS62607-6-8:2023技術(shù)規(guī)范，確立了使用四點(diǎn)探針法評估單層石墨烯薄層電阻（RsRs）的標(biāo)準(zhǔn)化流程。Xfilm埃利四探針方阻儀作為符合該標(biāo)準(zhǔn)要求的專業(yè)測量設(shè)備，可為石墨烯薄層電阻的精確測量提供可靠的解決方案。本文介紹了支撐

  IEC 測量 電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 18:03

  基于四探針測量的 BiFeO?疇壁歐姆響應(yīng)研究

  

  導(dǎo)電疇壁（DWs）是新型電子器件的關(guān)鍵候選結(jié)構(gòu)，但其納米尺度與宿主材料高電阻特性導(dǎo)致電學(xué)表征困難。Xfilm埃利四探針方阻儀可助力其電阻精確測量，本文以四探針測量技術(shù)為核心，采用亞微米級多點(diǎn)探針（MPP），實(shí)現(xiàn)BiFeO?（BFO）薄膜鐵彈/鐵電71°疇壁的無損、無光刻面內(nèi)輸運(yùn)測量，并給出了其電阻率的首次四探針測量值。四探針與二探針配置/Xfilm使用繼電器

  測量 電子器件

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• 發(fā)布了文章 2025-11-13 18:05

  鋰電池嵌入電極顆粒的傳輸線法TLM 模擬研究

  

  在鋰離子電池研發(fā)與性能評估中，精確表征材料內(nèi)部的離子傳輸行為至關(guān)重要。Xfilm埃利的TLM接觸電阻測試儀廣泛用于測量電極材料，為電池阻抗分析提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。本文系統(tǒng)提出了一種用于描述電池內(nèi)部活性顆粒中鋰離子擴(kuò)散行為的傳輸線模型TLM。該模型通過有限體積法離散化擴(kuò)散方程，構(gòu)建出具有明確物理意義的等效電路，不僅能與TLM測試儀所獲得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)形成互補(bǔ)，更能從微觀

  TLM 電極 鋰電池

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 18:04

  基于微四探針測量的熱電性能表征

  

  隨著電子器件尺寸持續(xù)縮小，熱管理問題日益突出。熱電材料的三項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)——電導(dǎo)率（σ）、熱導(dǎo)率（κ）和塞貝克系數(shù)（α），共同決定了器件的熱電優(yōu)值（ZT），進(jìn)而影響其能效與可靠性。四探針技術(shù)因其高空間分辨率、無損接觸和快速測量等優(yōu)勢常應(yīng)用于電導(dǎo)率測量，Xfilm埃利四探針方阻儀是電導(dǎo)率測量的重要設(shè)備。本文將解析基于諧波電壓分析的微四探針方法，旨在通過單一測量同時(shí)

  測量 電壓 電導(dǎo)率

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