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芯片3D堆疊封裝：開啟高性能封裝新時(shí)代！2025-02-11 10:53
在半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展歷程中，芯片封裝技術(shù)始終扮演著至關(guān)重要的角色。隨著集成電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度的不斷提升和終端應(yīng)用對(duì)性能、功耗、尺寸等多方面要求的日益嚴(yán)苛，傳統(tǒng)的2D封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足市場的需求。在此背景下，芯片3D堆疊封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的新里程碑。 -
半導(dǎo)體封裝革新之路：互連工藝的升級(jí)與變革2025-02-10 11:35
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負(fù)責(zé)將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸與交互。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及未來的發(fā)展趨勢。 -
從研發(fā)到應(yīng)用：國產(chǎn)高速高精度貼片機(jī)的全面發(fā)展之路2025-02-08 10:44
在電子制造行業(yè)的快速發(fā)展浪潮中，表面貼裝技術(shù)（SMT）作為電子組裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，正以前所未有的速度推動(dòng)著電子產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和質(zhì)量提升。而貼片機(jī)作為SMT生產(chǎn)線中的核心設(shè)備，其性能和技術(shù)水平直接決定了電子產(chǎn)品的制造效率和品質(zhì)。近年來，國產(chǎn)高速高精度貼片機(jī)在技術(shù)創(chuàng)新、市場拓展等方面取得了顯著的成就，正逐步打破國際品牌的壟斷，成為全球電子制造業(yè)中不可忽視的力量。 -
濕度大揭秘！如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻？2025-02-07 11:32
近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。特別是濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響機(jī)理，以期為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制 -
碳化硅SiC MOSFET：八大技術(shù)難題全解析！2025-02-06 11:33
碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，SiCMOSFET在研發(fā)和應(yīng)用過程中也面臨著一系列技術(shù)問題。本文將詳細(xì)探討SiCMOSFET的八大技術(shù)問題，并給出相應(yīng)的解決方案或研究方向。一、SiCMOSFET的柵極氧化層可靠性問題問題概述：SiCMOSFET的柵極氧化層是其核 -
集成電路外延片詳解：構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析2025-01-24 11:01
集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，而外延片作為集成電路制造過程中的關(guān)鍵材料，其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對(duì)芯片性能的影響。 -
揭秘Au-Sn共晶鍵合：MEMS封裝的高效解決方案2025-01-23 10:30
隨著微型機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的快速發(fā)展，其在汽車、醫(yī)療、通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。MEMS器件由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功能特性，對(duì)封裝技術(shù)提出了極高的要求。其中，氣密性封裝是MEMS封裝中的關(guān)鍵技術(shù)之一，它不僅能夠保護(hù)MEMS器件免受外部環(huán)境的影響，還能提高器件的性能和可靠性。Au-Sn共晶鍵合技術(shù)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，在MEMS氣密性封裝中展現(xiàn)出 -
集成電路新突破：HKMG工藝引領(lǐng)性能革命2025-01-22 12:57
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半導(dǎo)體制造里的ALD工藝：比“精”更“精”！2025-01-20 11:44
在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域，每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）工藝，作為一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會(huì)用到ALD工藝，并分析其獨(dú)特優(yōu)勢和應(yīng)用場景。 -
揭秘PoP封裝技術(shù)，如何引領(lǐng)電子產(chǎn)品的未來？2025-01-17 14:45
隨著電子產(chǎn)品的日益小型化、多功能化，對(duì)半導(dǎo)體封裝技術(shù)提出了更高要求。PoP（Package on Package，疊層封裝）作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，在智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式穿戴設(shè)備等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)探討PoP疊層封裝工藝的原理、特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)類型、關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢。
