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      青島佳恩半導體有限公司

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      IGBT模塊上橋臂驅(qū)動電路原理詳解

      IGBT以發(fā)射極電壓為基準電位驅(qū)動。開關(guān)動作時，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 07-03 10:46 ?2406次閱讀
      IGBT模塊上橋臂驅(qū)動電路原理詳解

      疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（3）

      測量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過測量獲取IGBT關(guān)斷時的尖峰電壓Vp....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 06-17 09:53 ?1311次閱讀
      疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（3）

      疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（2）

      回路中各環(huán)節(jié)電感值對于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 06-17 09:52 ?1003次閱讀
      疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（2）

      疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（1）

      研究IGBT器件的開關(guān)及特性對實現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義，IGBT DC Link主回....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 06-17 09:45 ?1044次閱讀
      疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（1）

      IGBT模塊吸收回路分析模型

      盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機理不同，但對于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時模型可....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 05-21 09:45 ?512次閱讀
      IGBT模塊吸收回路分析模型

      IGBT器件的防靜電注意事項

      IGBT作為功率半導體器件，對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細闡述使用過程中防靜電的具....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 05-15 14:55 ?433次閱讀

      雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(2)

      為驗證對主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動情況下的實際情況，我們?nèi)藶閷p 大小進....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 04-28 14:08 ?546次閱讀
      雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(2)

      佳恩半導體亮相2025慕尼黑上海電子展

      此前，2025年4月15日至17日，全球半導體行業(yè)矚目的盛會——?慕尼黑上海電子展（Electron....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 04-22 15:26 ?541次閱讀

      雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(1)

      IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 04-22 10:30 ?895次閱讀
      雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(1)

      IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理和優(yōu)勢

      IGBT正弦波調(diào)光器是一種用于調(diào)節(jié)燈光亮度的設(shè)備，其工作原理主要基于IGBT的開關(guān)特性和對正弦波信號....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 04-11 15:47 ?1194次閱讀
      IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理和優(yōu)勢

      功耗對IGBT性能的影響，如何降低IGBT功耗

      在電力電子的廣闊領(lǐng)域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個系統(tǒng)的運行....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 03-14 09:17 ?11300次閱讀
      功耗對IGBT性能的影響，如何降低IGBT功耗

      IGBT模塊的反向恢復現(xiàn)象

      IGBT模塊的反向恢復現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?...
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 03-13 14:39 ?1690次閱讀
      IGBT模塊的反向恢復現(xiàn)象

      IGBT在中頻電源中常見的故障模式及解決方法

      在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域，中頻電源應(yīng)用廣泛，而 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為中頻電源的核心器件，起著....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 03-03 14:16 ?1172次閱讀
      IGBT在中頻電源中常見的故障模式及解決方法

      IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展

      在全球積極推進能源轉(zhuǎn)型的大背景下，新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件，發(fā)揮著不....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 02-21 15:41 ?1300次閱讀

      IGBT的溫度監(jiān)控與安全運行

      IGBT的溫度及安全運行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關(guān)系如下式： Rthj....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 02-14 11:30 ?11611次閱讀
      IGBT的溫度監(jiān)控與安全運行

      IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理

      IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義： 1.對比不同的IGBT的參數(shù)； ....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-28 15:44 ?2674次閱讀
      IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理

      IGBT雙脈沖實驗說明

      IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗?zāi)康?1、通過實驗獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-27 18:10 ?1263次閱讀
      IGBT雙脈沖實驗說明

      IGBT模塊三電平電路故障時的關(guān)管順序

      在1字形二極管鉗位三電平電路中，當發(fā)生短路故障或過流故障時，傳統(tǒng)的關(guān)斷IGBT的做法是，檢測到故障的....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-17 11:06 ?2639次閱讀
      IGBT模塊三電平電路故障時的關(guān)管順序

      佳恩半導體IGBT項目科技成果達到國際先進水平

      日前，中科知慧(北京)科技成果評價有限公司組織專家，對青島佳恩半導體有限公司完成的“IGBT1200....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-08 14:16 ?804次閱讀

      單極性正弦波脈寬調(diào)制方式

      隨著功率器件的發(fā)展，正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，SPWM 控制是在逆變器輸出交流....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 12-27 09:20 ?2042次閱讀
      單極性正弦波脈寬調(diào)制方式

      單相全橋逆變電路分享

      單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路，其電路拓樸結(jié)構(gòu)如圖1所示，由兩個半橋 圖1單相....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 12-22 14:31 ?10039次閱讀
      單相全橋逆變電路分享

      如何減小IGBT死區(qū)時間

      通過以上方程，現(xiàn)在可以根據(jù)測量值來計算所需的死區(qū)時間。使用計算出的死區(qū)時間，需要進行最壞情況下的測量....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 12-16 09:39 ?1119次閱讀
      如何減小IGBT死區(qū)時間

      IGBT驅(qū)動器要考慮什么因素

      各種拓撲對IGBT驅(qū)動器的要求各不相同，比如： 兩電平拓撲通常要求短路保護和過壓保護即可。常用的短路....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 12-09 09:42 ?935次閱讀
      IGBT驅(qū)動器要考慮什么因素

      IGBT絕緣特性

      IGBT絕緣特性 電子元器件（半導體模塊）中，隔離帶電部分和底板的材料，被稱作絕緣材料。在大功率半導....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 11-29 09:50 ?1014次閱讀
      IGBT絕緣特性

      如何計算IGBT模塊的死區(qū)時間

      計算IGBT模塊死區(qū)時間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中，IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 11-08 10:23 ?2959次閱讀
      如何計算IGBT模塊的死區(qū)時間

      IGBT模塊NTC溫度傳感器的測量方法

      采用模擬電路方式測量IGBT模塊NTC溫度傳感器溫度：這個基本的方法是基于一個分壓器作為熱敏裝置。
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 10-25 16:29 ?2093次閱讀
      IGBT模塊NTC溫度傳感器的測量方法

      IGBT模塊的驅(qū)動電路設(shè)計

      IGBT模塊在三相電機驅(qū)動逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖，主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動保護、P....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 10-25 16:25 ?5475次閱讀
      IGBT模塊的驅(qū)動電路設(shè)計

      IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計

      IGBT模塊采用吸收電路時，典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 08-05 14:48 ?2183次閱讀
      IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計

      IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

      在光伏逆變器等大功率應(yīng)用場合，主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 07-26 10:03 ?5710次閱讀
      IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

      IGBT功率器件功耗

      IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主....
      的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 07-19 11:21 ?1336次閱讀
      IGBT功率器件功耗