ir2103典型應(yīng)用電路二：

　　圖2中，C1為自舉電容，VCC經(jīng)D4、C1、負(fù)載、Q2給C1充電，以確保Q2關(guān)閉、Q1開(kāi)通時(shí)，Q1管的柵極靠C1上足夠的儲(chǔ)能來(lái)驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)自舉式驅(qū)動(dòng)。若負(fù)載阻抗較大，C1經(jīng)負(fù)載降壓充電較慢，使得Q2關(guān)斷、Q1開(kāi)通，C1上的電壓仍充電達(dá)不到自舉電壓8.3V以上時(shí)，輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)會(huì)因欠壓被邏輯封鎖，Q1就無(wú)法正常工作。所以，要么選用小容量電容，以提高充電電壓;要么為C1提供快速充電通路。由于每個(gè)Q1開(kāi)關(guān)一次，C1就通過(guò)Q2開(kāi)關(guān)充電一次，因此自舉電容C1的充電還與輸入信號(hào)HIN、LIN的PWM脈沖頻率和脈沖寬度有關(guān)，當(dāng)PWM工作頻率過(guò)低時(shí)，若Q1導(dǎo)通脈寬較窄，自舉電壓8.3V容易滿足;反之無(wú)法實(shí)現(xiàn)自舉。因此要合理設(shè)置PWM開(kāi)關(guān)頻率和占空比調(diào)節(jié)范圍，通過(guò)實(shí)驗(yàn)C1的選擇應(yīng)考慮以下幾點(diǎn)：

　　（1）C1的選擇與PWM的頻率有關(guān)，頻率高，C1應(yīng)該選擇小一點(diǎn)的。

　?。?）C1的種類最好是鉭電容，在0.22μf或更大一點(diǎn)（一般取0.47μf且》35V）較好。

　?。?）盡量使自舉回路上電不經(jīng)過(guò)大阻抗負(fù)載，這樣就要為C1充電提供快速充電通路。

　?。?）對(duì)于占空比調(diào)節(jié)較大的場(chǎng)合，特別是在高占空比時(shí)，Q2開(kāi)通時(shí)間較短，C1應(yīng)該選擇小點(diǎn)的較好，否則，在有限的時(shí)間內(nèi)無(wú)法達(dá)到自舉電壓。

　　另外，通過(guò)實(shí)驗(yàn)還得出了這樣一些結(jié)論。自舉二極管也是一個(gè)非常重要的自舉器件，它應(yīng)能阻斷直流干線上的高壓，二極管承受的電流是柵極電荷與開(kāi)關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失，應(yīng)選用漏電流小的快恢復(fù)二極管（高頻），例如IN4148。有時(shí)IR2110HIN和LIN端口輸入漂亮的PWM波形，可是HO和LO沒(méi)有輸出，這可能是電源不匹配的緣故造成的，比如PWM的幅值大約為3.3V，V+一般選擇5V左右，這樣用示波器測(cè)量，可能LO有輸出，但是HO沒(méi)有輸出，這時(shí)應(yīng)該將HO/LO分別與對(duì)應(yīng)的CMOS管相連，而且應(yīng)該是上下臂一起進(jìn)行調(diào)整，最好是帶負(fù)載，因?yàn)楦叨耸强孔耘e電容，懸浮的，這時(shí)可能有波形輸出。

　　ir2103典型應(yīng)用電路三：

　　圖2中的C1、C3和C4均為各電源與地之間的電容，其作用是利用電容的儲(chǔ)能防止電壓有大的波動(dòng)，一般根據(jù)具體情況取10μF~100μF（本文設(shè)計(jì)選用10μF）；R1和R2取值均為1k？贅。C2為自舉電容，VCC經(jīng)D1、C2、負(fù)載、T2給C2充電，以確保在T2關(guān)閉、T1導(dǎo)通時(shí)，T1管的柵極靠C2上足夠的儲(chǔ)能來(lái)驅(qū)動(dòng)。自舉電容一般選用1.0μF，具體與PWM的頻率有關(guān)，頻率低時(shí)，選用大電容；頻率高時(shí)，選擇較小的電容，本設(shè)計(jì)選用1.0μF電解電容。需要說(shuō)明的是，若自舉電容取值不合適，將導(dǎo)致不能自舉。

　　圖2中的D1為保護(hù)二極管，其作用是防止T1導(dǎo)通時(shí)高電壓串入VCC端損壞該驅(qū)動(dòng)芯片。D1應(yīng)選用快速恢復(fù)二極管，且導(dǎo)通電阻要小，以減少充電時(shí)間，如1N4148、FR系列或MUR系列等，本設(shè)計(jì)選用1N4148。

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