功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)——彎腳及焊接應(yīng)注意的問(wèn)題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問(wèn)題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱(chēng)為
功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大
功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件?？梢苑譃榘肟匦推骷?/div>
2021-09-09 06:29:58
功率半導(dǎo)體基本開(kāi)關(guān)原理
2011-05-03 22:07:52
`本書(shū)主要針對(duì)的是半導(dǎo)體使用客戶(hù)，并把基礎(chǔ)理論作了簡(jiǎn)單的闡述歸納總結(jié)。本手冊(cè)站在用戶(hù)的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
功率半導(dǎo)體的工作原理.資料來(lái)自網(wǎng)絡(luò)資源分享
2021-08-06 22:54:59
，東興證券研究所國(guó)內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:15:56
芯集成電路等）；測(cè)試類(lèi)（***冠魁、紹興宏邦、西安易恩、杭州可靠性?xún)x器廠、陜西三海、西安慶云等）；隨著半導(dǎo)體功率器
2021-07-12 07:49:57
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一，因?yàn)樽詣?dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)是一項(xiàng)重大的資本支出。那么，有沒(méi)有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
地，2020 年業(yè)界普遍認(rèn)為 5G 會(huì)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用，熱點(diǎn)技術(shù)與應(yīng)用推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料需求有望進(jìn)一步增長(zhǎng)。寬禁帶半導(dǎo)體材料測(cè)試1 典型應(yīng)用一. 功率雙極性晶體管BJT 特性表征2 典型應(yīng)用二. 功率
2020-05-09 15:22:12
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類(lèi)集成電路的四大類(lèi)
2021-02-24 07:52:52
半導(dǎo)體技術(shù)在汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-18 06:09:40
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
激光器作為光纖激光器泵源的時(shí)候，通過(guò)提高單元功率能夠從根本上簡(jiǎn)化泵浦系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，和提高泵浦功率水平。隨著光纖激光器和固體激光器對(duì)輸出功率要求越來(lái)越高，對(duì)半導(dǎo)體泵浦源的功率也提出了更高的要求。由于光束質(zhì)量的限制
2019-05-13 05:50:35
半導(dǎo)體三極管的簡(jiǎn)易測(cè)試小結(jié)思考題附錄一國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法附錄二半導(dǎo)體二極管參數(shù)舉例附錄三半導(dǎo)體三極管參數(shù)舉例第二章 低頻小信號(hào)放大電路第一節(jié) 關(guān)于低頻放大器的基本常識(shí)第二節(jié) 單級(jí)低頻小信號(hào)放大
2008-07-11 13:05:29
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試方法有很多種，其中四探針?lè)ň哂性O(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高以及對(duì)樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看
2021-09-15 07:24:56
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛(ài)普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶(hù)可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
廣電計(jì)量檢測(cè)專(zhuān)業(yè)做半導(dǎo)體集成芯片檢測(cè)機(jī)構(gòu)，有相關(guān)問(wèn)題互相探討溝通聯(lián)系***
2020-10-20 15:10:37
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
A，S，C，C 在半導(dǎo)體行業(yè)分別是哪幾家？
2020-12-18 16:54:20
DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)西安天光測(cè)控DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
功率半導(dǎo)體器件概述功率半導(dǎo)體器件基本概念功率半導(dǎo)體器件（Power Semiconductor Device）又稱(chēng)電力電子器件（Power Electronic Device）。1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室
2019-02-26 17:04:37
建模工具所采用?；谄浼傻牟⑿蠸PICE引擎，BSIMProPlus提供強(qiáng)大的全集成SPICE建模平臺(tái)，可以用于對(duì)各種半導(dǎo)體器件從低頻到高頻的各種器件特性的SPICE建模，包括電學(xué)特性測(cè)試、器件模型
2020-07-01 09:36:55
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本。 然而，所使用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開(kāi)關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
，東興證券研究所國(guó)內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:50:23
，東興證券研究所國(guó)內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:46:29
變速驅(qū)動(dòng)的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC應(yīng)用
2021-04-21 07:06:40
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GPIB、RS-232 和 Keithley Trigger link 接口應(yīng)用：分立半導(dǎo)體器件無(wú)源設(shè)備瞬態(tài)抑制裝置IC、RF IC、MMIC激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電探測(cè)器電路保護(hù)裝置
2022-03-03 11:27:48
），具有迄今為止最高的功率、精度、速度、靈活性和易用性，能夠大大提高研發(fā)、生產(chǎn)測(cè)試和可靠性環(huán)境的測(cè)試效率。Keithley 2657A數(shù)字源表是專(zhuān)門(mén)針對(duì)高壓電子和功率半導(dǎo)體器件的特征分析與測(cè)試而設(shè)計(jì)的，例如
2019-03-04 15:21:36
工廠閑置/倒閉電子儀器，個(gè)人處理儀器，歡迎來(lái)電. Keithley 2651A與2657A大電流源表單元主要用于對(duì)高功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行I-V參數(shù)測(cè)試和特性分析，應(yīng)用領(lǐng)域包括高功率器件的研發(fā)，可靠性測(cè)試
2016-07-20 14:19:44
來(lái)電.回收工廠閑置/倒閉電子儀器，個(gè)人處理儀器，歡迎來(lái)電. Keithley 2651A與2657A大電流源表單元主要用于對(duì)高功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行I-V參數(shù)測(cè)試和特性分析，應(yīng)用領(lǐng)域包括高功率器件的研發(fā)，可靠性
2016-07-27 16:28:56
基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng)，總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22
德國(guó)PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導(dǎo)體激光器PHOTONTEC能為您解決在泵浦、激光醫(yī)療、激光加工等應(yīng)用領(lǐng)域的需求。PHOTONTEC公司能為您提供量身定制的解決方案
2009-12-08 09:34:25
，設(shè)計(jì)了溫度保護(hù)電路;根據(jù)半導(dǎo)體激光器損壞機(jī)理，設(shè)計(jì)了過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)電路，同時(shí)采取了靜電保護(hù)和反向電壓保護(hù)措施。采用單片機(jī)設(shè)計(jì)了控制電路，實(shí)現(xiàn)了大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電源的自動(dòng)化控制。 經(jīng)測(cè)試，驅(qū)動(dòng)電源達(dá)到
2018-08-13 15:39:59
半導(dǎo)體激光器不僅能夠滿(mǎn)足客戶(hù)的多樣化需求，而且能夠提供個(gè)性化的專(zhuān)業(yè)定制。目前激光器的輸出接頭在低功率應(yīng)用方面提供S
2021-12-29 07:24:31
如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)？
2021-12-23 06:07:59
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問(wèn)問(wèn)你們有沒(méi)好點(diǎn)的意見(jiàn)，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
全球汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展整體向好，汽車(chē)中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車(chē)身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車(chē)推動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂(lè)系統(tǒng)，以及占全球汽車(chē)銷(xiāo)售比例50%以上的新興市場(chǎng)，推動(dòng)全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)7%。
2020-05-04 06:30:06
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見(jiàn)表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國(guó)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號(hào)及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國(guó)外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
關(guān)鍵問(wèn)題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，快捷半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)出智能功率級(jí)模塊 (SPS:Smart Power Stage) 系列— 下一代超緊湊型整合式 MOSFET 外加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案。該系列利用快捷半導(dǎo)體
2013-12-09 10:06:45
怎么實(shí)現(xiàn)基于Atmel半導(dǎo)體方案的汽車(chē)雨刷系統(tǒng)的設(shè)計(jì)？
2021-05-12 06:10:58
怎么實(shí)現(xiàn)基于Atmel半導(dǎo)體方案的汽車(chē)雨刷系統(tǒng)的設(shè)計(jì)？
2021-05-17 06:48:13
`一、系統(tǒng)背景測(cè)試半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段。我們可以根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)來(lái)判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型，是N型還是P型；霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作
2020-06-08 17:04:49
最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè)
2012-08-20 19:46:39
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試有何要求？對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試有哪幾種方式？如何對(duì)數(shù)字輸出執(zhí)行VOH、VOL和IOS測(cè)試？
2021-07-30 06:27:39
參數(shù)測(cè)試儀。其功能相當(dāng)于電壓源、電流源、電壓表、電流表和電阻表的綜合體。通信、半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)與醫(yī)療行業(yè)的元件與模塊制造商都將發(fā)現(xiàn)，源表儀器對(duì)于各種特征分析與生產(chǎn)過(guò)程測(cè)試都極具實(shí)用價(jià)值
2020-04-08 15:14:35
“通過(guò)創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車(chē)可以自動(dòng)操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車(chē)及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)Allen Kwang高度評(píng)價(jià)汽車(chē)電子的創(chuàng)新意義。而汽車(chē)電子創(chuàng)新顯然與動(dòng)力、底盤(pán)、安全、車(chē)身、信息娛樂(lè)系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11
測(cè)量單元（SMU），具有迄今為止高的功率、精度、速度、靈活性和易用性，能夠大大提高研發(fā)、生產(chǎn)測(cè)試和可靠性環(huán)境的測(cè)試效率。Keithley 2657A數(shù)字源表是專(zhuān)門(mén)針對(duì)高壓電子和功率半導(dǎo)體器件的特征分析
2021-09-02 11:50:26
銷(xiāo)售、維修、回收 高頻 二手儀器。 Keithley 2651A與2657A大電流源表單元主要用于對(duì)高功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行I-V參數(shù)測(cè)試和特性分析，應(yīng)用領(lǐng)域包括高功率器件的研發(fā)，可靠性測(cè)試，生產(chǎn)測(cè)試，針對(duì)
2021-12-08 15:56:19
電力半導(dǎo)體器件的分類(lèi)
2019-09-19 09:01:01
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動(dòng)車(chē)窗中有何應(yīng)用？
2021-05-14 06:11:55
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試原理,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能測(cè)試,集成電路測(cè)試系統(tǒng).
2008-08-17 22:36:43
168 SPEA功率器件測(cè)試機(jī)SPEA-功率器件測(cè)試機(jī)-DOT800T功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，主要用途包括逆變、變頻等，在家用電器、新能源汽車(chē)、工業(yè)制造、通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。小型化
2022-09-16 15:36:04
本文介紹了什么是功率半導(dǎo)體器件，對(duì)功率半導(dǎo)體器件分類(lèi)和功率半導(dǎo)體器件優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析，分析了功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)以及功率半導(dǎo)體器件的基本功能和用途。
2018-01-13 09:19:43
17515 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的其中一個(gè)環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體測(cè)試一直以來(lái)備受關(guān)注。隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要。
2019-04-11 09:12:5915047 吉時(shí)利8010型大功率器件測(cè)試夾具與2651A以及2657A型大功率系統(tǒng)數(shù)字源表一起完善了功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案。圖1給出源測(cè)量單元（SMU）儀器與8010型夾具的連接圖。在8010型互連參考指南（IRG）中給出詳細(xì)的器件測(cè)試配置實(shí)例。
2020-08-21 13:49:312285 
通過(guò) Keithley 儀器，可以輕松構(gòu)建 LIV（光功率-電流-電壓）系統(tǒng)，從而經(jīng)濟(jì)高效地測(cè)試激光二極管模塊。
2020-12-02 09:39:531491 功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，在使用高電壓、大電流時(shí)也不會(huì)損壞。另外，由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫，因而成為故障發(fā)生的原因。 因此，我們正努力減少功率半導(dǎo)體本身因發(fā)熱而導(dǎo)致的功率損失，進(jìn)而有效地將其產(chǎn)生的熱量釋放到外部。
2023-02-03 09:36:231092 
功率半導(dǎo)體包括兩部分：功率器件和功率IC，功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支，而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來(lái)。
2023-02-06 14:27:212490 
參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器
件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 也對(duì)自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求。 SPEA長(zhǎng)期深耕半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)，持續(xù)探索并突破核心檢測(cè)技術(shù)，公司出品的DOT800T功率半導(dǎo)體測(cè)試儀在檢測(cè)速度、精度、動(dòng)態(tài)雜散電感等關(guān)鍵性能指標(biāo)處于全球領(lǐng)先地位。 D
2023-02-15 16:05:053 1.設(shè)備基本參數(shù)1.1設(shè)備名稱(chēng)：半導(dǎo)體功率器件測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)：EN-3020B設(shè)備數(shù)量： 1 臺(tái)外接設(shè)備：筆記本電腦1臺(tái)設(shè)備規(guī)格：600mm×800mm×1600mm測(cè)試夾具
2023-02-15 15:50:311 NI宣布收購(gòu) SET GmbH(簡(jiǎn)稱(chēng)“SET”)。SET是長(zhǎng)期專(zhuān)注于航空航天和國(guó)防測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的專(zhuān)家，也是功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試領(lǐng)域的創(chuàng)新者。加入NI后，將共同縮短關(guān)鍵的、高度差異化的解決方案的上市時(shí)間，并以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等功率電子材料為切入點(diǎn)，加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體到汽車(chē)的供應(yīng)鏈融合。
2023-03-15 17:42:56917 也對(duì)自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求。SPEA長(zhǎng)期深耕半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)，持續(xù)探索并突破核心檢測(cè)技術(shù)，公司出品的DOT800T功率半導(dǎo)體測(cè)試儀在檢測(cè)速度、精度、動(dòng)態(tài)雜散電感等
2022-09-23 11:35:32548 
光隔離探頭主要用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等由功率半導(dǎo)體組成的高壓高頻電路的測(cè)試，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半/全橋電路的測(cè)試。
2023-06-27 17:32:33556 
和測(cè)試而優(yōu)化設(shè)計(jì)，可幫助用戶(hù)在研發(fā)、可靠性及生產(chǎn)領(lǐng)域提高生產(chǎn)力，包 括高亮度LED、功率半導(dǎo)體、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池，以及其他大功率材料、元件、模塊 和組件的特性分析和測(cè)試。 與2600A 系列產(chǎn)品的每個(gè)成員一樣，2651A 具有高靈活性、四象限電壓和電流源/負(fù)載， 組合了精密電
2023-07-10 16:16:32214 
半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試參數(shù)是指在直流條件下對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，目的是為了判斷半導(dǎo)體分立器件在直流條件下的性能，主要是測(cè)試半導(dǎo)體器件在工作過(guò)程中的電流特性和電壓特性。ATECLOUD半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)采用軟硬件架構(gòu)為測(cè)試工程師提供整體解決方案，此系統(tǒng)可程控，可以實(shí)現(xiàn)隨時(shí)隨地測(cè)試，移動(dòng)端也可實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試數(shù)據(jù)情況。
2023-10-10 15:05:30415 功率半導(dǎo)體，作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分，扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于處理高功率電信號(hào)和控制電力流動(dòng)的半導(dǎo)體器件，與低功率應(yīng)用中使用的小信號(hào)半導(dǎo)體不同，功率半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27491 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類(lèi)活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動(dòng)汽車(chē)包括功率半導(dǎo)體，飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
半導(dǎo)體如今在集成電路、通信系統(tǒng)、照明等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用，是一種非常重要的材料。在半導(dǎo)體行業(yè)中，半導(dǎo)體測(cè)試是特別關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，以保證半導(dǎo)體器件及產(chǎn)品符合規(guī)定和設(shè)計(jì)要求，確保其質(zhì)量和性能。
2023-11-07 16:31:17309 
什么是半導(dǎo)體的成品測(cè)試系統(tǒng)，如何測(cè)試其特性？ 半導(dǎo)體的成品測(cè)試系統(tǒng)是用于測(cè)試制造出來(lái)的半導(dǎo)體器件的一種設(shè)備。它可以通過(guò)一系列測(cè)試和分析來(lái)確定半導(dǎo)體器件的性能和功能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代
2023-11-09 09:36:44265 著整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行。 功率放大器 作為半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)中的重要組成部分，在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域研究中起著至關(guān)重要的作用。本次Aigtek 安泰電子 將過(guò)往部分半導(dǎo)體測(cè)試方向的實(shí)驗(yàn)案例編輯為合集，希望能對(duì)廣大半導(dǎo)體領(lǐng)域的各位朋友有所幫助
2023-11-17 18:00:17208 
高壓功率放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著重要的角色。半導(dǎo)體測(cè)試是指對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行各種電性能參數(shù)測(cè)試和質(zhì)量檢測(cè)的過(guò)程。以下是關(guān)于高壓功率放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用的詳細(xì)介紹。 一、高壓信號(hào)發(fā)生器
2024-01-15 11:24:49138 
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