ZUK首款Z1智能手機降噪耳機選用艾邁斯半導體高性能芯片

全球領先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體（ams AG，SIX股票代碼：AMS）今日宣布聯(lián)想集團旗下獨立子公司ZUK已選用AS3415模擬揚聲器驅(qū)動器為其首款Z1智能手機打造低功耗且具有卓越降噪性能的耳機。

2015-09-23 標簽：降噪耳機ZUK艾邁斯 6395

Diodes集成式汽車電感負載驅(qū)動器可節(jié)省空間及成本

　Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMN61D8LVTQ雙通道電感負載驅(qū)動器，適用於汽車電感負載開關(guān)應用，包括窗戶、門鎖、天線繼電器、螺線管及小型直流電機。片上集成式齊納二極管和偏置電阻器可排除對多個外部元件的需求，有效節(jié)省成本及縮減印刷電路板占位面積。

2015-09-22 標簽：DiodesDMN61D8LVTQ 995

Mouser率先供貨Littelfuse新型XGD系列XTR...

貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 率先庫存并分銷Littelfuse的新型 XGD系列XTREME-GUARD? ESD抑制器。這些器件采用超小的0402和0603平頂貼片封裝，可保護敏感型電子設備免受靜電放電 （ESD） 損壞。該系列主要用于抑制不超過30kV的快速上升靜電放電瞬變，且?guī)缀醪粫螂娐吩黾与娙?，進而有助于保護信號完整性并降低數(shù)據(jù)丟失率。XGD系列采用突破性的ESD技術(shù)，是高達32VDC的高壓應用的最佳選擇。

2015-09-21 標簽：MouserLittelfuseXGDXTREME-GUARD? ESD 960

ROHM開發(fā)出USB Type-C Power Delive...

全球知名半導體制造商ROHM開發(fā)出在連接信息設備與周邊設備的USB Type-C連接器*1）中實現(xiàn)“USB Power Delivery（以下稱“USBPD”）”的供受電控制器IC“BM92TxxMWV系列”。

2015-09-17 標簽：ROHMType-C控制器IC 1756

Vishay發(fā)布可替代機械繼電器的新型高可靠混合固態(tài)繼電器

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其VOR系列混合固態(tài)繼電器中的首批3顆器件，為通信、工業(yè)、保安系統(tǒng)和醫(yī)療設備提供了高可靠性和無噪聲切換功能。新的Vishay Semiconductors 1 Form A VOR1142A6、VOR1142B6和VOR1142M4具有高輸入輸出隔離、電流限值保護和更低的功耗，可替代可靠性較低、使用壽命更短的傳統(tǒng)機械繼電器。

2015-09-15 標簽：Vishay機械繼電器固態(tài)繼電器 2717

SiC功率模塊關(guān)鍵在價格，核心在技術(shù)

日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應加熱設備、電機驅(qū)動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設備等。

2015-09-06 標簽：功率模塊碳化硅CAS300M12BM2 1800

Pericom推出多類高速連接、時頻和控制新品

Pericom推出多類高速連接、時頻和控制新品...

2015-09-01 標簽：Pericom 1096

格羅方德半導體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺

格羅方德半導體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求?！?2FDX?”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡市場提供了一個最佳解決方案。

2015-07-14 標簽：物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI格羅方德 2292

英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設備的可靠性

2015-06-24 標簽：英飛凌RCDC IGBT 2841

大聯(lián)大品佳集團推出INTEL SoFIA SoC系列平臺

2015-06-09 標簽：SoCINTEL 1026

Mentor Graphics新一代的 MicReD Ind...

Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今日宣布，新一代的 MicReD? Industrial Power Tester 1500A 產(chǎn)品可同時為多達12個功率器件提供電子器件功率循環(huán)測試功能和熱測試功能。

2015-05-18 標簽：Mentor Graphics 4559

Vishay新款薄膜條MOS電容器為混合裝配提供高功率

賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，針對高功率混合裝配、SiC和GaN應用中的使用環(huán)境，推出新的薄膜條MOS電容器。

2015-05-18 標簽：電容器Vishay 1013

Qorvo采用全新GaAs工藝技術(shù)提高光帶寬

2015年4月27日 – 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）日前宣布推出一項全新的砷化鎵（GaAs）贗晶型高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝技術(shù)，與競爭對手的半導體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。

2015-04-28 標簽：RFGaAsQorvoTQPHT09 1237

Xilinx憑借新型存儲器、3D-on-3D和多處理SoC技...

2015年2月25日，中國北京—— All Programmable技術(shù)和器件的全球領先企業(yè)賽靈思公司 （NASDAQ： XLNX）今日宣布，其16nm UltraScale+? 系列FPGA、3D IC和MPSoC憑借新型存儲器、3D-on-3D和多處理SoC（MPSoC）技術(shù)，再次實現(xiàn)了領先一代的價值優(yōu)勢。為實現(xiàn)更高的性能和集成度，UltraScale+ 系列還采用了全新的互聯(lián)優(yōu)化技術(shù)——SmartConnect。

2015-03-02 標簽：FPGASoCXilinx 1021

Cadence為臺積電16納米FinFET+制程推出IP組合

美國加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設計創(chuàng)新領導者Cadence設計系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。

2014-10-08 標簽：臺積電CadenceFinFET 1214

CEC進軍信息服務業(yè)，打造國家級元器件電商平臺

日前，承載中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司信息服務板塊使命的中國中電國際信息服務有限公司（中電國際）正式在深啟動運營，深圳市市長許勤、CEC董事長芮曉武出席啟動會。

2014-09-24 標簽：CEC公司 1262

e絡盟推出面向工程師的完整開發(fā)工具資源平臺-設計中心

［中國 – 2014年9月11日］ e絡盟日前宣布正式推出e絡盟設計中心，為工程師提供最全面的開發(fā)工具產(chǎn)品詳細參數(shù)及支持資料。

2014-09-11 標簽：連接器物聯(lián)網(wǎng)e絡盟 1020

Vishay的新款VRPower DrMOS尺寸更小更高效

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 9 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸、散熱增強型PowerPAK? MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower?集成DrMOS新品---SiC620。

2014-09-09 標簽：DrMOS 4.0 1325

技術(shù)前沿--多用途導電性芯片貼裝膜技術(shù)面世

消費者不斷要求在越來越小的外形尺寸上實現(xiàn)更多的功能，促使半導體封裝專家尋找更薄、更小、更高封裝密度的可靠解決方案。

2014-08-18 標簽：漢高芯片貼裝膜 1666

英特爾公布全新14nm芯片技術(shù)：Broadwell，低功耗成...

英特爾正式發(fā)布了全新14nm芯片技術(shù)，并將其命名為Broadwell。

2014-08-16 標簽：英特爾Broadwell 4738