然而，在推出16Mb的封裝元件后，我們可以看到，該公司并不是因為採用先進製程技術(shù)而提升密度；其16Mb和4Mb的元件都共用主流的微影製程，而且單元尺寸相同?？雌饋恚^小的製程可能會導(dǎo)致半選問題。 Everspin 公司採取的方法是重新設(shè)計架構(gòu)，拿掉了一個背部的互連層，用改良過的電路來最小化讀、寫和擦除資料所需的開銷。

　　圖2：Everspin的MRAM晶粒圖。

　　Everspin聲稱該公司2011年的MRAM出貨量成長了300%，獲得250個新的設(shè)計訂單（design win），其中包括戴爾、LSI和BMW等。而用于下一代MRAM的技術(shù)──自旋力矩（Spin-torque），則可望加快讀/寫速度并提高密度。這是否有可能在未來讓MRAM真的能取代快閃記憶體，成為SSD的關(guān)鍵記憶體，再縮短開機時間？我們很快就會知道答案。SSD市場正在快速成長，因此，這個產(chǎn)業(yè)勢必需要更高速的記憶體。