描述

SMV512K32是一款高性能異步CMOS SRAM，由32位524,288個字組成。可在兩種模式：主控或受控間進(jìn)行引腳選擇。主設(shè)件為用戶提供了定義的自主EDAC擦除選項(xiàng)。從器件選擇采用按要求擦除特性，此特性可由一個主器件啟動。根據(jù)用戶需要，可提供3個讀周期和4個寫周期（描述如下）。

特性

• 20ns讀取，13.8ns寫入（最大存取時間）
• 與商用
  512K x 32 SRAM器件功能兼容
• 內(nèi)置EDAC（錯誤偵測和校正）以減輕軟錯誤
• 用于自主校正的內(nèi)置引擎
• CMOS兼容輸入和輸出電平，3態(tài)雙向數(shù)據(jù)總線
  • 3.3±0.3VI /O，1.8±0.15V內(nèi)核
• 輻射性能放射耐受性是一個基于最初器件標(biāo)準(zhǔn)的典型值。輻射數(shù)據(jù)和批量驗(yàn)收測試可用 - 細(xì)節(jié)請與廠家聯(lián)系。
  • 設(shè)計(jì)使用基底工程和抗輻射（HBD）與硅空間技術(shù)公司（SST）許可協(xié)議下的< sup> TM 技術(shù)和存儲器設(shè)計(jì)。
  • TID抗擾度＆gt; 3e5rad（Si）
  • SER＆lt; 5e-17翻轉(zhuǎn)/位 - 天使用（CRPLE96來計(jì)算用于與地同步軌道，太陽安靜期的SER。 LET = 110 MeV
    （T = 398K）
• 采用76引線陶瓷方形扁平封裝
• 可提供工程評估（/EM）樣品這些部件只用于工程評估。它們的加工工藝為非兼容流程（例如，無預(yù)燒過程等），并且只在25°C的溫度額定值下進(jìn)行測試。這些部件不適合于品質(zhì)檢定，生產(chǎn)，輻射測試或飛行使用。不擔(dān)保完全軍用額定溫度
  -55°C至125°C范圍內(nèi)或使用壽命內(nèi)的部件性能。