超低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列DL0522P
DL0522P是一種超低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列，設(shè)計(jì)用于在連接到高速數(shù)據(jù)線(xiàn)時(shí)保護(hù)敏感半導(dǎo)體元件免受電應(yīng)力過(guò)大的影響。DL0522P 的超低電容（0.35pF典型I/O到I/O）確保了在tc 3.5GHz以上的數(shù)據(jù)速率下可以忽略信號(hào)衰減。固態(tài)結(jié)構(gòu)確?？焖賷A緊ESD（靜電放電）、EFT（電快速瞬變）或CDE（電纜放電事件）產(chǎn)生的電過(guò)應(yīng)力瞬變。
■除了超低電容外，DL0522P還提供的浪涌電流能力和的電壓箝位性能。浪涌電流能力（8x20μs）的額定值為5A,箝位電壓低于15V；大約比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高33%。此外，1.9的緊箝位比（VCVRWM）（通常為1A）確保了有害瞬態(tài)被快速箝位，并接近電路的正常工作電壓。超緊夾緊比比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高30%，確保了對(duì)敏感集成電路的保護(hù)。
DL0522P設(shè)計(jì)用于保護(hù)多達(dá)兩條數(shù)據(jù)線(xiàn)。它封裝在符合RoHS/WEEE標(biāo)準(zhǔn)的6引腳DFN中，具有0.55mm（標(biāo)稱(chēng)）的極低封裝外形。超低電容、高浪涌能力、緊箝位比和低封裝外形的組合使DL0522P成為當(dāng)今ESD敏感、空間受限應(yīng)用的理想選擇。
●特征
ESD保護(hù)符合以下要求：
IEC 61000-4-2，±18kV觸點(diǎn)，±30kV空氣
IEC 61000-4-5（閃電）5A（8/20μs）
IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
緊密的夾緊比V-C/V-RWM確保了的保護(hù)
高反向浪涌電流，lPP，容量
低怠速電流將待機(jī)功耗降至低
低調(diào)的DFN1610-6封裝
為高速線(xiàn)路優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)
貫穿設(shè)計(jì)
保護(hù)兩條l/O線(xiàn)
低電容：0.35pF典型值（I/O至I/O）
低工作電壓：5V
固態(tài)硅雪崩技術(shù)
應(yīng)用參考：
| D5V0F2U6LP-7 | |
產(chǎn)品類(lèi)型: | TVS Diodes ESD 抑制器TVS二極管 2-Ch Low Cap TVS Diode Array 0.5pF |
極性: | Unidirectional |
工作電壓: | 5.5 V |
通道數(shù)量: | 2 Channel |
端接類(lèi)型: | SMD/SMT |
產(chǎn)品封裝: | U-DFN1610-6 |
擊穿電壓: | 6 V |
鉗位電壓: | 12 V |
峰值脈沖功耗 (Pppm): | - |
Vesd - 靜電放電電壓觸點(diǎn): | 15 kV |
Vesd - 靜電放電電壓氣隙: | 15 kV |
Cd - 二極管電容 : | 0.65 pF |
Ipp - 峰值脈沖電流: | 1.5 A |
工作溫度范圍: | - 55 C-+ 150 C |
封裝: | Reel |
封裝: | Cut Tape |
商標(biāo): | Diodes Incorporated |
Pd-功率耗散: | 300 mW |
工廠包裝數(shù)量: | 3000 |
子類(lèi)別: | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
