IRFB3206PBF 場效應(yīng)管 Infineon 封裝N/A 批次22+

單機片

型號： IRFB3206PBF

品牌： Infineon(英飛凌)

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品牌：	Infineon
型號：	IRFB3206PBF
封裝：	N/A
批次：	22+
數(shù)量：	30000
類別：	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商：	Infineon Technologies
系列：	HEXFET?
FET 類型：	N 通道
漏源電壓（Vdss）：	60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：	120A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：	10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：	3 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：	4V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：	170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：	±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：	6540 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：	300W（Tc）
工作溫度：	-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：	通孔
封裝/外殼：	TO-220-3

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