特點(diǎn)
CMOS=CMOS兼容輸入或輸出Analog=Analog input P=PowerST=Schmitt Trigger input with CMOS level O=output I=InputPPS=Peripheral Pin Select TTL=TTL input buffer注1：此引腳僅在dsPIC33EPXXXMC20X/50X和PIC24EPXXXMC20 X設(shè)備上可用。2：此引腳只在dsPIC33 EPXXXGP/MC 50X設(shè)備上使用。3：這是dsPIC33EP XXXMC20 X/50X與PIC24EPXXXXMC20 X設(shè)備重置時(shí)的默認(rèn)故障。有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱第16.0節(jié)“高速PWM模塊（僅限dsPIC33EPXXXMC20X/50X和PIC24EPXXXXMC20X設(shè)備）”。4：并非所有引腳都適用于所有封裝變體。引腳可用性請(qǐng)參見(jiàn)“引腳圖”部分。5:當(dāng)JTAG接口處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí)，TMS引腳上連接有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器。參見(jiàn)表27-2中的JTAGEN位字段。

描述

電容器的值和類型：建議0.1μF（100 nF），10-20V。該電容器應(yīng)當(dāng)是低ESR并且具有在20MHz及更高范圍內(nèi)的諧振頻率。建議使用陶瓷電容器。?在印刷電路板上的放置：去耦電容器應(yīng)盡可能靠近引腳。建議將電容器放置在與設(shè)備同一側(cè)的板上。如果空間有限，可以使用過(guò)孔將電容器放置在PCB的另一層上；但是，確保引腳到電容器的跡線長(zhǎng)度在四分之一英寸（6毫米）以內(nèi)。?處理高頻噪聲：如果電路板遇到高于10 MHz的高頻噪聲，則在上述去耦電容器中添加第二個(gè)并聯(lián)的陶瓷型電容器。第二個(gè)電容器的值可以在0.01μF到0.001μF的范圍內(nèi)。將第二個(gè)電容器放在主去耦電容器旁邊。在高速電路設(shè)計(jì)中，考慮盡可能增加電源和接地引腳的十年電容對(duì)。例如，0.1μF與0.001μF并聯(lián)。?最大限度地提高性能：在電源電路的板布局上，先將電源和回流跡線連接到去耦電容器，然后連接到設(shè)備引腳。這確保了去耦合電容器在功率鏈中處于第一位。同樣重要的是將電容器和電源引腳之間的跡線長(zhǎng)度保持在最小值，從而降低PCB跡線電感。