特點(diǎn)
1.5000 V的加強(qiáng)絕緣
大于0.4 mm的內(nèi)部絕緣
輸入和輸出之間的距離。
符合EN41003、EN60950的表格
（加強(qiáng)絕緣）。
2.也適用于2種形式的A使用
作為兩個(gè)獨(dú)立的1形式A使用
3.控制低電平模擬信號(hào)
PhotoMOS具有極低的閉合電路偏移電壓，可以控制
低電平模擬信號(hào)
扭曲
4.高靈敏度、高速度
回答
可以控制最大0.14 A負(fù)載電流
5毫安輸入電流。操作速度快
的類(lèi)型。0.5毫秒（AQW210EH）。
5.低電平關(guān)斷狀態(tài)泄漏電流
最大1μA
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號(hào) AQW216EHAX
- 數(shù)量 3250
- 封裝 SOP8
- 品牌 PANASONIC/松下
- 批次 最新批次
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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