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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTGS3446T1G-VB一種N—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號: NTGS3446T1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是NTGS3446T1G-VB型號的產(chǎn)品簡介和詳細(xì)參數(shù)說明:

### 產(chǎn)品簡介:

NTGS3446T1G-VB是VBsemi生產(chǎn)的N—Channel溝道功率場效應(yīng)晶體管,具有以下特點(diǎn):
- 負(fù)載工作電壓:30V
- 最大漏極電流:6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻:30mΩ @ VGS=10V
- 靜態(tài)漏極-源極電阻:30mΩ @ VGS=20V
- 門極閾值電壓:1.2V
- 封裝:SOT23-6

### 參數(shù)說明:

- **負(fù)載工作電壓 (VDS)**: 30V,指定了晶體管在負(fù)載工作時的最大電壓。
- **最大漏極電流 (ID)**: 6A,表示晶體管能夠承受的最大漏極電流。
- **靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))**: 在不同的門極電壓下,靜態(tài)漏極-源極電阻都為30mΩ。這個參數(shù)表示了晶體管導(dǎo)通時的導(dǎo)通電阻。
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 1.2V,是晶體管開始導(dǎo)通的門極電壓閾值。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源管理模塊**:NTGS3446T1G-VB適用于各種小功率電源管理模塊,如手機(jī)充電器、電池管理系統(tǒng)等,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和管理。
  
2. **LED驅(qū)動**:在LED照明領(lǐng)域,NTGS3446T1G-VB可用于LED驅(qū)動電路中,實(shí)現(xiàn)對LED燈珠的精確控制和調(diào)光。
  
3. **便攜式設(shè)備**:由于封裝小巧,NTGS3446T1G-VB適用于便攜式設(shè)備中的功率管理,如平板電腦、筆記本電腦等。

NTGS3446T1G-VB的特性使其在小功率應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景,提供高效、穩(wěn)定的功率控制和管理功能。

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