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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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P4404ETG-VB一種P—Channel溝道TO252封裝MOS管

型號(hào): P4404ETG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
P4404ETG-VB是VBsemi品牌的P-Channel溝道MOSFET,具有-40V的漏極-源極電壓承受能力,最大漏極電流為-65A。其特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和-1.6V的閾值電壓(Vth),適用于需要負(fù)載電壓為負(fù)值的應(yīng)用場(chǎng)景。封裝采用TO252,具有良好的散熱性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **P-Channel溝道**: 表明器件為P溝道MOSFET,適用于需要負(fù)載電壓為負(fù)值的電路設(shè)計(jì)。
- **漏極-源極電壓(VDS)**: -40V,表示器件可承受的最大工作電壓,為負(fù)值。
- **漏極電流(ID)**: 最大-65A,表示器件在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠通過(guò)的最大電流,為負(fù)值。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 在VGS=10V時(shí)為10mΩ,在VGS=20V時(shí)為10mΩ,說(shuō)明了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻特性。
- **閾值電壓(Vth)**: -1.6V,指示了器件開(kāi)始導(dǎo)通的門(mén)極電壓,為負(fù)值。
- **封裝**: TO252,適用于中等功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和焊接性能。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源逆變器**: P4404ETG-VB可用于電源逆變器中,將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,適用于太陽(yáng)能逆變器、UPS逆變器等應(yīng)用。
2. **電池保護(hù)電路**: 在電池管理系統(tǒng)中,可用作過(guò)充放電保護(hù)開(kāi)關(guān),確保電池在充放電時(shí)的安全和穩(wěn)定性。
3. **電動(dòng)車輛控制**: 適用于電動(dòng)汽車和電動(dòng)自行車等電動(dòng)車輛的電機(jī)控制器中,實(shí)現(xiàn)高效的功率開(kāi)關(guān)控制。
4. **工業(yè)電子**: 在工業(yè)領(lǐng)域的各種電子設(shè)備中,如電動(dòng)機(jī)控制、變頻器、電源開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域中,提供高功率、高效率的開(kāi)關(guān)控制。

以上示例說(shuō)明了P4404ETG-VB在電源逆變器、電池保護(hù)、電動(dòng)車輛控制和工業(yè)電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其特點(diǎn)使其適用于需要負(fù)載電壓為負(fù)值的場(chǎng)景,并具有高功率和高效率的優(yōu)勢(shì)。

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