### 產(chǎn)品簡介
VBsemi的14N06S2-80-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有60V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），1.7V的閾值電壓（Vth），以及在VGS=4.5V時為85mΩ，在VGS=10V時為73mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。該器件的漏極電流（ID）額定為18A，采用溝道技術制造。

### 參數(shù)說明
- **包裝形式**：TO252
- **通道類型**：單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**：60V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **RDS(ON)（導通電阻）**：85mΩ @ VGS=4.5V；73mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）**：18A
- **技術**：溝道

### 應用領域和模塊舉例
1. **電源模塊**：14N06S2-80-VB適用于中功率電源模塊，如開關電源和電源適配器，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電動工具**：在電動工具中，這種器件可用于電機控制電路，實現(xiàn)電動工具的高效運行和長時間工作。
3. **電動汽車**：在電動汽車中，該器件可用于電機控制和電池管理，提供高效、穩(wěn)定的性能，滿足電動汽車的中功率需求。
4. **工業(yè)控制**：適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電源管理和電機控制，具有高效、穩(wěn)定的性能，適應工業(yè)環(huán)境的需求。
5. **充電樁**：在充電樁中，該器件可用于電源管理和充電控制，提供高效的充電服務，支持快速充電技術。

以上僅為一些常見應用領域和模塊，實際應用中還可能有其他領域和模塊。