### 20N50H TO3P-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

20N50H TO3P-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，設(shè)計(jì)用于要求高電壓和高電流的應(yīng)用。采用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻和高的漏極電流能力，適用于各種高性能電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 20N50H TO3P-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO3P
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **門(mén)限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 210mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類(lèi)型**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**工業(yè)電源**:
20N50H TO3P-VB 適用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的高壓開(kāi)關(guān)和逆變器。其高漏極電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和效率。

**電動(dòng)車(chē)充電器**:
在電動(dòng)車(chē)充電器中，該產(chǎn)品可用于開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高額定電壓和電流能夠滿(mǎn)足電動(dòng)車(chē)充電器對(duì)高性能組件的要求。

**太陽(yáng)能逆變器**:
20N50H TO3P-VB 適用于太陽(yáng)能逆變器中的高壓開(kāi)關(guān)。其優(yōu)秀的熱特性和可靠性確保了在各種環(huán)境條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

**醫(yī)療設(shè)備**:
在醫(yī)療設(shè)備中，該產(chǎn)品可用于高性能電源管理模塊和電動(dòng)機(jī)控制。其高可靠性和穩(wěn)定性使其成為醫(yī)療設(shè)備制造商的理想選擇。

20N50H TO3P-VB 通過(guò)在各種高壓高性能應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用，展示了其作為高性能 MOSFET 的優(yōu)越性能，為工程師提供了一種可靠的解決方案。