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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SK1339-VB一款N-Channel溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2SK1339-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1339-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1339-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO3P。該型號采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)制造,具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻,適用于中高功率電路設計。其最大漏源電壓(VDS)為 900V,最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,導通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 750mΩ,最大漏極電流(ID)為 9A。

### 二、2SK1339-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:2SK1339-VB
- **封裝**:TO3P
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
- **最大漏源電壓 (VDS)**:900V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:9A
- **導通延遲時間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:56nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:16nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:40nC
- **熱阻 (RθJC)**:0.83°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應用領(lǐng)域和模塊實例

#### 高壓電源模塊
2SK1339-VB 可用于設計高壓電源模塊,如工業(yè)設備中的高壓穩(wěn)壓器、高壓開關(guān)電源等,適用于要求高壓和高功率的場合。

#### 大功率電機驅(qū)動器
由于其較高的漏極電流和較低的導通電阻,該型號適用于設計大功率電機驅(qū)動器,如電動汽車的電機驅(qū)動器、工業(yè)大功率電機控制系統(tǒng)等。

#### 太陽能逆變器
在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,2SK1339-VB 可用于逆變器電路,幫助實現(xiàn)太陽能電能的高效轉(zhuǎn)換和管理。

#### 高性能電源放大器
在音頻放大器等高性能電源放大器中,該型號可用于功率放大器電路,提供高保真度和低失真的功率放大。

#### 高壓照明系統(tǒng)
在需要設計高壓 LED 照明系統(tǒng)的場合,如街道照明、車燈照明等,2SK1339-VB 可提供高效率和可靠性的解決方案。

綜上所述,2SK1339-VB 是一款適用于中高功率電路設計的高性能 MOSFET 元件,具有廣泛的應用前景,可用于多種電子設備和系統(tǒng)。

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