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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1403A-VB一款N-Channel溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK1403A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):2SK1403A-VB**

2SK1403A-VB是一款采用TO-3P封裝的單N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該產(chǎn)品具有高漏極電壓和適中導(dǎo)通電阻,適用于需要中等功率和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。其采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),具備良好的電氣特性和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝:** TO-3P
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS):** 650V
- **柵源電壓 (VGS):** ±30V
- **閾值電壓 (Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 420mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID):** 11A
- **技術(shù):** SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

**1. 電力電子變流器:**

2SK1403A-VB適用于需要中高功率轉(zhuǎn)換的電力電子變流器。其適中的導(dǎo)通電阻和高漏極電壓能夠提供高效率和穩(wěn)定性。

**2. 高性能電源模塊:**

在高性能電源模塊中,該MOSFET可用于功率開關(guān)和調(diào)節(jié)器。其高漏極電壓和適中的導(dǎo)通電阻有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

**3. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:**

2SK1403A-VB可應(yīng)用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率開關(guān)和電流調(diào)節(jié)器。其高漏極電流和適中的導(dǎo)通電阻可提高設(shè)備的效率和響應(yīng)速度。

**4. 高壓直流輸電系統(tǒng):**

該型號(hào)適用于高壓直流輸電系統(tǒng)的功率開關(guān)和調(diào)節(jié)器。其高漏極電壓和適中的導(dǎo)通電阻有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

以上應(yīng)用實(shí)例展示了2SK1403A-VB MOSFET在中等功率和高效率要求的領(lǐng)域中的廣泛適用性,體現(xiàn)了其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的重要性。

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