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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SK1486-VB一款N-Channel溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2SK1486-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1486-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1486-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,采用 TO3P 封裝形式,基于 SJ_Multi-EPI 技術制造。該型號具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻,適用于要求較高耐壓和中等功率的電路設計。其最大漏源電壓(VDS)為 600V,最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,導通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 60mΩ,最大漏極電流(ID)為 47A。

### 二、2SK1486-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:2SK1486-VB
- **封裝**:TO3P
- **類型**:單一 N 通道
- **技術**:SJ_Multi-EPI
- **最大漏源電壓 (VDS)**:600V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:60mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:47A
- **導通延遲時間**:< 10ns
- **關斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:140nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:35nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:50nC
- **熱阻 (RθJC)**:1.2°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應用領域和模塊實例

#### 高壓電源模塊
2SK1486-VB 可用于設計高壓電源模塊,如高壓直流電源、電力傳輸系統(tǒng)等,提供穩(wěn)定的電能轉換和傳輸。

#### 電動車電機驅動
在電動車電機驅動器中,該型號可用于設計電機驅動模塊,提供高效的電能轉換和動力輸出。

#### 工業(yè)控制系統(tǒng)
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK1486-VB 可用于設計高壓開關模塊,實現(xiàn)對工業(yè)設備的高壓控制和保護。

#### 高壓照明驅動
在高壓照明系統(tǒng)中,該型號可用于設計 LED 燈驅動器,提供穩(wěn)定的高壓輸出和高效的能量轉換。

#### 太陽能逆變器
在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,2SK1486-VB 可用于設計太陽能逆變器,將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉換為交流電,實現(xiàn)對電網(wǎng)的接入。

綜上所述,2SK1486-VB 是一款適用于中高壓、中等功率電路設計的 N 通道 MOSFET,具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻,適用于多種電子設備和系統(tǒng)。

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