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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1657-T2B-A-VB一款N-Channel溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK1657-T2B-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SK1657-T2B-A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK1657-T2B-A-VB 是一款高性能、單通道 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封裝,適用于低功率和低電流應(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括 60V 的漏源電壓(VDS)、0.3A 的漏極電流(ID),以及在不同柵源電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):3100mΩ@VGS=4.5V 和 2800mΩ@VGS=10V。該產(chǎn)品采用槽溝技術(shù)制造,適用于需要低功率和高壓穩(wěn)定性的場(chǎng)合。

### 2SK1657-T2B-A-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: SOT23-3
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 3100mΩ @ VGS=4.5V
 - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: 槽溝技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK1657-T2B-A-VB MOSFET 適用于以下低功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **傳感器接口**: 由于其低功率和高壓穩(wěn)定性,2SK1657-T2B-A-VB 可用于傳感器接口電路中,提供穩(wěn)定的電壓保護(hù)和低功耗控制。

2. **電池管理**: 在需要高壓保護(hù)的電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于過(guò)壓保護(hù)和低功耗控制,延長(zhǎng)電池壽命并確保電池安全。

3. **LED 照明**: 在低功率 LED 照明系統(tǒng)中,2SK1657-T2B-A-VB 可用于 LED 驅(qū)動(dòng)器模塊,提供穩(wěn)定的電流控制和高效的能量轉(zhuǎn)換。

4. **便攜式設(shè)備**: 由于其小封裝和低功率特性,這款 MOSFET 可用于便攜式設(shè)備中的電源管理和電路控制模塊,延長(zhǎng)電池壽命并提高設(shè)備效率。

5. **醫(yī)療設(shè)備**: 在低功率醫(yī)療設(shè)備中,2SK1657-T2B-A-VB 可用于電源管理和電路控制模塊,提供可靠的電壓穩(wěn)定性和低功耗特性。

綜上所述,2SK1657-T2B-A-VB MOSFET 在各種低功率、高壓應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿(mǎn)足多種領(lǐng)域的需求,特別適用于需要高電壓穩(wěn)定性和低功耗的場(chǎng)合。

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