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深圳市華灃恒霖電子科技有限公司

一站式芯片供應(yīng)商

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QPD1006 是一款工作頻率為 1.2 至 1.4 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶體管

型號(hào): QPD1006 是一款工作頻率為 1.2 至 1.4 GH

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 產(chǎn)品應(yīng)用 射頻

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Qorvo 的 QPD1006 RF 晶體管

Qorvo的 QPD1006 RF 晶體管 

Qorvo 的 QPD1006 是一款工作頻率為 1.2 至 1.4 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶體管。它提供 313 瓦的 CW 輸出功率(增益為 17.5 dB)和 468 瓦的脈沖功率(增益為 17.8 dB),漏極效率超過 55%。該器件內(nèi)部匹配至 50 歐姆,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝。

產(chǎn)品詳情

  • 零件編號(hào):QPD1006
  • 制造商:Qorvo
  • 描述:GaN-on-SiC HEMT 晶體管,頻率 1.2 至 1.4 GHz
     

常規(guī)參數(shù)

  • 晶體管類型:HEMT
  • 技術(shù):SiC 上的 GaN、GaN
  • 應(yīng)用行業(yè):航空航天和國(guó)防、雷達(dá)、無線基礎(chǔ)設(shè)施
  • 應(yīng)用:雷達(dá)
  • 連續(xù)波/脈沖:脈沖,連續(xù)波
  • 頻率:1.2 至 1.4 GHz
  • 功率:54.96 dBm(CW,3dB 壓縮),56.7 dBm(脈沖
  • 功率(W):313 W(CW,3dB壓縮),468 W(脈沖
  • 脈沖寬度:100 us
  • 占空比:10%
  • 增益:17.5 dB(連續(xù)波),17.8 dB(脈沖)
  • 電源電壓:45 V(連續(xù)波),50 V(脈沖)
  • 電流:750毫安
  • 封裝類型:陶瓷
  • RoHS:是
  • 工作溫度:-40 至 85 攝氏度
  • 存儲(chǔ)溫度:-65 至 150 攝氏度

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(GAL22V10D-15LD/883) 1 22+ LATTICE in stock 

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(ISPLSI1048C-50LG/883) 19 22+ LATTICE in stock 

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GAL16V8D-15LP 9 22+ LATTICE in stock 

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