--- 產品參數 ---
- 最大工作電流 25mA
- 最大功率 389W
- 增益 最小增益為10dB
- 工作頻率 1MHz到500MHz
- 最大工作電壓 70V
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
描述
D1020UK是由Semelab plc生產的一款高性能金層化多用途硅DMOS射頻場效應管(RF FET),專為150W輸出功率、28V供電電壓、400MHz頻率范圍內的推挽應用設計。這款產品具備優(yōu)異的射頻性能,適用于需要高功率和高效率的通信系統(tǒng)。
特性
- 超低Crss(反向傳輸電容):有助于減少寄生效應,提高放大器的穩(wěn)定性和性能。
- 簡化的放大器設計:便于設計人員快速實現高性能射頻放大器。
- 寬帶應用適用:適合寬帶應用,覆蓋從1MHz到500MHz的頻率范圍。
- 簡單的偏置電路:簡化了設備的偏置設計,降低了設計復雜度。
- 低噪聲:低噪聲特性使其在接收機和低噪聲放大器應用中表現優(yōu)異。
- 高增益:最小增益為10dB,確保了信號的有效放大。
應用
- HF/VHF/UHF通信:適用于1MHz至500MHz的通信系統(tǒng),包括無線電廣播、無線通信和衛(wèi)星通信。
- 金屬柵射頻硅場效應管(TetraFET):采用先進的金屬柵技術,提供卓越的射頻性能。
電氣特性
- 最大耗散功率:389W
- 漏源擊穿電壓:70V,±20V
- 漏極電流:最大25A
- 存儲溫度:-65°C至150°C
- 最大工作結溫:200°C
機械數據
- 封裝:提供詳細的機械尺寸和公差,以確保與現有系統(tǒng)的兼容性。
熱數據
- 結殼熱阻:最大0.45°C/W,確保有效的熱管理。
危險物質警告
- 鈹氧化物:設備引腳和金屬法蘭之間的陶瓷部分含有鈹氧化物,其粉塵具有高毒性。在處理和安裝過程中需小心,避免損壞此區(qū)域。
環(huán)保合規(guī)
- RoHS合規(guī):產品符合歐盟限制有害物質使用的指令。
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