描述

D1020UK是由Semelab plc生產(chǎn)的一款高性能金層化多用途硅DMOS射頻場效應(yīng)管（RF FET），專為150W輸出功率、28V供電電壓、400MHz頻率范圍內(nèi)的推挽應(yīng)用設(shè)計。這款產(chǎn)品具備優(yōu)異的射頻性能，適用于需要高功率和高效率的通信系統(tǒng)。

特性

• 超低Crss（反向傳輸電容）：有助于減少寄生效應(yīng)，提高放大器的穩(wěn)定性和性能。
• 簡化的放大器設(shè)計：便于設(shè)計人員快速實現(xiàn)高性能射頻放大器。
• 寬帶應(yīng)用適用：適合寬帶應(yīng)用，覆蓋從1MHz到500MHz的頻率范圍。
• 簡單的偏置電路：簡化了設(shè)備的偏置設(shè)計，降低了設(shè)計復雜度。
• 低噪聲：低噪聲特性使其在接收機和低噪聲放大器應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
• 高增益：最小增益為10dB，確保了信號的有效放大。

應(yīng)用

• HF/VHF/UHF通信：適用于1MHz至500MHz的通信系統(tǒng)，包括無線電廣播、無線通信和衛(wèi)星通信。
• 金屬柵射頻硅場效應(yīng)管（TetraFET）：采用先進的金屬柵技術(shù)，提供卓越的射頻性能。

電氣特性

• 最大耗散功率：389W
• 漏源擊穿電壓：70V，±20V
• 漏極電流：最大25A
• 存儲溫度：-65°C至150°C
• 最大工作結(jié)溫：200°C

機械數(shù)據(jù)

• 封裝：提供詳細的機械尺寸和公差，以確保與現(xiàn)有系統(tǒng)的兼容性。

熱數(shù)據(jù)

• 結(jié)殼熱阻：最大0.45°C/W，確保有效的熱管理。

危險物質(zhì)警告

• 鈹氧化物：設(shè)備引腳和金屬法蘭之間的陶瓷部分含有鈹氧化物，其粉塵具有高毒性。在處理和安裝過程中需小心，避免損壞此區(qū)域。

環(huán)保合規(guī)

• RoHS合規(guī)：產(chǎn)品符合歐盟限制有害物質(zhì)使用的指令。