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N溝道場效應(yīng)管STF13N80K5/800V/12A

型號(hào): STF13N80K5
品牌: ST(意法)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號(hào) STF13N80K5
  • 品牌 ST意法
  • 封裝 TO-220F
  • VDS 800V
  • ID 12A
  • Rds On 370 mOhms
  • PD 35W

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

產(chǎn)品種類:  MOSFET 

RoHS:  Yes 

技術(shù):  Si 

安裝風(fēng)格:  Through Hole 

封裝 / 箱體:  TO-220-3 

晶體管極性:  N-Channel 

通道數(shù)量:  1 Channel 

Vds-漏源極擊穿電壓:  800 V 

Id-連續(xù)漏極電流:  12 A 

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:  370 mOhms 

Vgs - 柵極-源極電壓:  - 30 V, + 30 V 

Vgs th-柵源極閾值電壓:  4 V 

Qg-柵極電荷:  29 nC 

最小工作溫度:  - 55 C 

最大工作溫度:  + 150 C 

Pd-功率耗散:  35 W 

通道模式:  Enhancement  

封裝:  Tube 

商標(biāo):  STMicroelectronics 

配置:  Single 

下降時(shí)間:  16 ns 

產(chǎn)品類型:  MOSFETs 

上升時(shí)間:  16 ns 

系列:  STF13N80K5 

包裝數(shù): 1000 

子類別:  Transistors 

晶體管類型:  1 N-Channel 

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:  42 ns 

典型接通延遲時(shí)間:  16 ns 

單位重量:  2 g 

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