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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP18N20GH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP18N20GH-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP18N20GH-HF-VB 是一款單 N-溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET),采用Trench工藝制造。該器件適用于高性能功率開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用,具有200V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和最大30A的漏極電流(ID)容量。

### 2. 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: AP18N20GH-HF-VB
- **封裝**: TO252
- **通道類(lèi)型**: 單 N-溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 200V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: 3V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:
 - 55mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 30A
- **技術(shù)**: Trench

### 3. 應(yīng)用示例

AP18N20GH-HF-VB 可適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理**: 由于其高導(dǎo)通電流和適中的漏極-源極電壓,適合用作高性能電源開(kāi)關(guān)和電源管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件。

- **太陽(yáng)能逆變器**: 在太陽(yáng)能逆變器中,作為功率轉(zhuǎn)換和電流控制的核心組件,確保高效的能源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電力。

- **電動(dòng)車(chē)輛充電系統(tǒng)**: 在電動(dòng)車(chē)輛充電系統(tǒng)中,用于電池管理和充電控制,確保高效率和安全的電池充電過(guò)程。

- **工業(yè)控制**: 用于工業(yè)設(shè)備和控制系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)和逆變器,以提供可靠的功率控制和管理。

AP18N20GH-HF-VB 的高性能特性和可靠性使其在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中成為首選,特別是需要處理高電流和高功率的場(chǎng)合。

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