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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP4521GEH-VB一款Common Drain-N+P溝道TO252-4L的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP4521GEH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Common Drain-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### AP4521GEH-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP4521GEH-VB 是一款雙N+P溝道共源結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,采用TO252-4L封裝,適合需要同時(shí)控制正負(fù)溝道的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于高功率電路和需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。

### AP4521GEH-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: TO252-4L
- **配置**: 雙N+P溝道,共源結(jié)構(gòu)
- **漏源電壓 (VDS)**: ±40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:
 - N溝道: 1.8V
 - P溝道: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道:
   - 14mΩ @ VGS = 4.5V
   - 14mΩ @ VGS = 10V
 - P溝道:
   - 16mΩ @ VGS = 4.5V
   - 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: ±50A
- **技術(shù)類型**: Trench 結(jié)構(gòu)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

AP4521GEH-VB 在以下領(lǐng)域和模塊中有廣泛應(yīng)用:

1. **電源逆變器**: 用于工業(yè)和家庭逆變器系統(tǒng)中,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出功率,如太陽(yáng)能逆變器和UPS系統(tǒng)。

2. **電動(dòng)汽車充電器**: 在電動(dòng)車充電系統(tǒng)中,可以應(yīng)用于直流充電樁和車載充電器,提供高效率的功率轉(zhuǎn)換和快速充電能力。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**: 適用于工業(yè)機(jī)器人、電動(dòng)工具和自動(dòng)化控制系統(tǒng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率管理模塊,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

4. **服務(wù)器電源**: 在數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器設(shè)備中,用于服務(wù)器電源管理和高效能量轉(zhuǎn)換,提高數(shù)據(jù)處理能力和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

通過(guò)以上應(yīng)用場(chǎng)景的示例,可以看出AP4521GEH-VB 可以在多種需要高功率和高效能量轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備和系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,提升系統(tǒng)的性能和可靠性。

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