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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP4532M-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AP4532M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳

**AP4532M-VB** 是一種雙通道(N+P通道)MOSFET,采用SOP8封裝。它專為高效功率管理而設(shè)計(jì),具有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和電流處理能力。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),使其在各種應(yīng)用中具有高效的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。該器件適用于需要高電流和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用,如電源管理模塊和負(fù)載開關(guān)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| ---- | ---- |
| 封裝 | SOP8 |
| 配置 | Dual-N+P-Channel |
| 漏源電壓 (VDS) | ±30V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 門限電壓 (Vth) | 1.6V(N通道) / -1.7V(P通道) |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 24mΩ(N通道) / 50mΩ(P通道) |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 18mΩ(N通道) / 40mΩ(P通道) |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | ±8A |
| 技術(shù) | Trench |

### 適用領(lǐng)域和模塊

**AP4532M-VB** 具有高效的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理模塊**
  - **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET可以用作開關(guān)器件,通過其低導(dǎo)通電阻,減少開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。
  - **負(fù)載開關(guān)**:由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,該MOSFET非常適合用于負(fù)載開關(guān),以確保系統(tǒng)在各種操作條件下的穩(wěn)定性和效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
  - **小型電機(jī)控制器**:AP4532M-VB可以用于小型電機(jī)控制器中的功率開關(guān)部分,提供高效的電流傳導(dǎo)和低熱損耗,確保電機(jī)運(yùn)行的穩(wěn)定性。

3. **消費(fèi)電子**
  - **筆記本電腦和便攜設(shè)備**:在筆記本電腦和其他便攜設(shè)備中,該MOSFET可以用于電池管理系統(tǒng)和電源管理IC中,以提高電源管理的效率,延長設(shè)備的電池壽命。

4. **通信設(shè)備**
  - **無線基站和路由器**:AP4532M-VB可用于無線基站和路由器的電源管理模塊,確保這些設(shè)備在高負(fù)載條件下的高效能和低熱耗。

通過這些應(yīng)用實(shí)例,可以看出AP4532M-VB是一款多功能、高效能的MOSFET器件,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)功率管理和高效能的需求。

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