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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP62T03GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AP62T03GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì):

AP62T03GH-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)。其主要技術(shù)參數(shù)如下:

- **包裝類型:** TO252
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 80A

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

1. **包裝類型和配置:** TO252 封裝,適合于中功率密度和中等熱阻設(shè)計(jì),常用于表面貼裝應(yīng)用。

2. **電氣特性:**
  - **適中的電壓容忍度:** 最大30V的漏極-源極電壓(VDS),適合于中等電壓范圍的應(yīng)用場(chǎng)合。
  - **低導(dǎo)通電阻:** 在不同的柵極-源極電壓下(4.5V和10V),分別為6mΩ和5mΩ,提供了低功耗和高效率的操作。
  - **高漏極電流:** 最大漏極電流(ID)達(dá)到80A,適用于處理大功率負(fù)載。

3. **技術(shù)優(yōu)勢(shì):**
  - **Trench 技術(shù):** 增強(qiáng)了導(dǎo)通能力和熱穩(wěn)定性,適合于高功率、高頻率開關(guān)和高效能量轉(zhuǎn)換的要求。

### 應(yīng)用示例:

AP62T03GH-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理和轉(zhuǎn)換器:** 在中功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器和電源適配器中,通過其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流,實(shí)現(xiàn)高效率的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

- **電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車:** 作為電機(jī)控制器的開關(guān)元件,能夠處理高電流和高功率負(fù)載,提供可靠的電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車操作。

- **工業(yè)控制系統(tǒng):** 在工業(yè)自動(dòng)化、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率負(fù)載控制中,作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,確保系統(tǒng)穩(wěn)定和高效的能量管理。

- **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心設(shè)備:** 在服務(wù)器電源管理、高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中,用于功率開關(guān)和熱管理,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)可靠性。

這些示例展示了AP62T03GH-VB在多個(gè)中功率、高效率電子設(shè)計(jì)中的應(yīng)用潛力,顯示其在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的重要性和廣泛適用性。

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