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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AP6982M-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AP6982M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳細(xì):

AP6982M-VB 是一款雙N+N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)。其主要技術(shù)參數(shù)如下:

- **包裝類型:** SOP8
- **配置:** 雙N+N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 8.5A

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

1. **包裝類型和配置:** SOP8 封裝,適合于表面貼裝應(yīng)用,具有較高的集成度和良好的熱性能。

2. **電氣特性:**
  - **寬電壓容忍度:** 最大30V的漏極-源極電壓(VDS),適合于中等電壓范圍的應(yīng)用場合。
  - **低導(dǎo)通電阻:** 在不同的柵極-源極電壓下(4.5V和10V),分別為20mΩ和16mΩ,提供了低功耗和高效率的操作。
  - **適中的漏極電流:** 最大漏極電流(ID)為8.5A,適用于一般功率負(fù)載的開關(guān)和控制。

3. **技術(shù)優(yōu)勢:**
  - **Trench 技術(shù):** 增強(qiáng)了導(dǎo)通能力和熱穩(wěn)定性,適合于高功率、高頻率開關(guān)和高效能量轉(zhuǎn)換的要求。

### 應(yīng)用示例:

AP6982M-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理和轉(zhuǎn)換器:** 在DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器和電源適配器中,作為功率開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

- **電池管理系統(tǒng):** 用于電池充放電管理、電池保護(hù)和電池組電流控制,確保電池系統(tǒng)的安全性和效率。

- **消費(fèi)類電子產(chǎn)品:** 如平板電腦、筆記本電腦等的電源管理電路中,用于提供穩(wěn)定的電源輸出和節(jié)能功能。

- **工業(yè)控制和汽車電子:** 在工業(yè)自動化和汽車電子系統(tǒng)中,作為電機(jī)控制、電動汽車充電管理和電源開關(guān)的關(guān)鍵組件。

這些示例展示了AP6982M-VB在多個電子應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用,顯示其在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的重要性和高效能力。

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