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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AP86T03GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AP86T03GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳細:

AP86T03GH-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用了先進的Trench技術(shù),具備低導通電阻和高電流承載能力,適合于要求高效能和高功率密度的電子應(yīng)用。

- **包裝類型:** TO252
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 100A
- **技術(shù):** Trench

### 詳細參數(shù)說明:

1. **包裝和配置:**
  - **TO252封裝:** 提供了良好的熱管理和電氣性能,適合于中等功率密度的應(yīng)用,如電源管理和電動工具。
 
2. **電氣特性:**
  - **低導通電阻:** 
    - 3mΩ @ VGS = 4.5V
    - 2mΩ @ VGS = 10V,確保在高電流負載和低電壓條件下的低損耗和高效率。
  - **高電流承載能力:** 最大漏極電流達到100A,適合于處理大功率負載和高頻率開關(guān)需求。
  - **穩(wěn)定的閾值電壓:** 1.7V的閾值電壓確保了在各種電壓條件下的穩(wěn)定工作。

3. **技術(shù)優(yōu)勢:**
  - **Trench技術(shù):** 使用Trench結(jié)構(gòu)設(shè)計,優(yōu)化了導通性能和熱穩(wěn)定性,提高了能量轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)可靠性。

### 應(yīng)用示例:

AP86T03GH-VB MOSFET 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理和逆變器:** 在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源逆變器中,用于高效率能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流控制。
 
- **電動工具和電動車輛:** 用于電動工具和電動汽車中的電機驅(qū)動控制,支持高功率和高效率的電能管理需求。

- **電源開關(guān):** 作為高頻率開關(guān),用于工業(yè)自動化和通信設(shè)備中,確保設(shè)備的高效運行和長期可靠性。

這些示例展示了AP86T03GH-VB在高功率、高效率電子設(shè)計中的廣泛應(yīng)用,顯示其在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的重要性和多功能性。

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