chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

9.6k 內容數(shù) 73w+ 瀏覽量 14 粉絲

BSC080N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSC080N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**BSC080N03LS G-VB** 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 DFN8(5x6)。這款 MOSFET 采用了先進的 Trench 技術,設計用于處理高電流和高效率的應用。其漏源極電壓(VDS)為 30V,最大門源極電壓(VGS)可達 ±20V,適合廣泛的驅動條件。BSC080N03LS G-VB 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時為 9mΩ,在 VGS 為 10V 時為 7mΩ,提供了低功耗和高效能的優(yōu)勢。該 MOSFET 的漏極電流(ID)高達 80A,能夠滿足大電流負載的需求。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: BSC080N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **門源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**:
  BSC080N03LS G-VB 在電源管理模塊中提供卓越的性能,尤其適用于高效率的開關電源和 DC-DC 轉換器。其低導通電阻能夠顯著減少功率損耗,提高電源轉換效率,保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行。

2. **電機驅動**:
  在電機驅動應用中,BSC080N03LS G-VB 由于其高電流處理能力和低導通電阻,適用于驅動直流電機和步進電機。它能夠高效地處理大電流負載,提升電機的響應速度和工作效率。

3. **功率轉換器**:
  對于功率轉換器應用,如高效的 AC-DC 轉換器和 DC-AC 逆變器,BSC080N03LS G-VB 能夠提供穩(wěn)定的開關性能和高功率處理能力。其低導通電阻減少了熱量生成,提高了功率轉換效率。

4. **LED 驅動電路**:
  在高功率 LED 驅動電路中,BSC080N03LS G-VB 可以處理較大的電流,并且低導通電阻能夠減少系統(tǒng)的熱量產生,延長系統(tǒng)的使用壽命和穩(wěn)定性。

這款 MOSFET 的優(yōu)越性能使其在需要高電流和高效率的應用中表現(xiàn)出色,特別是在電源管理和驅動系統(tǒng)中。

為你推薦