M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種筆記本電腦和小型計(jì)算設(shè)備，提供卓越的性能和可靠性。 
產(chǎn)品技術(shù)資料 

型號(hào) ：M425R2GA3PB0-CWM 
內(nèi)存類(lèi)型 ：DDR5 SDRAM 
容量 ：16GB 
工作頻率 ：5600 MT/s 
數(shù)據(jù)傳輸速率 ：高達(dá) 5600 MT/s 
電壓 ：1.1V（典型值） 
封裝類(lèi)型 ：SO-DIMM 
制造工藝 ：符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) 

產(chǎn)品應(yīng)用 
M425R2GA3PB0-CWM 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域： 

筆記本電腦 ：提升便攜式計(jì)算設(shè)備的性能，支持日常辦公、娛樂(lè)和多媒體處理。 
超極本 ：為輕薄型筆記本電腦提供高性能內(nèi)存支持，滿足高效能和長(zhǎng)續(xù)航的需求。 
小型計(jì)算機(jī) ：在小型桌面計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的內(nèi)存解決方案，確保系統(tǒng)的可靠性。 
游戲設(shè)備 ：提升游戲筆記本的性能，支持高畫(huà)質(zhì)游戲和流暢的多任務(wù)處理。 

產(chǎn)品介紹 
M425R2GA3PB0-CWM 采用先進(jìn)的 DDR5 技術(shù)，具有更高的帶寬和更低的功耗，能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能。與前代 DDR4 內(nèi)存相比，DDR5 內(nèi)存在數(shù)據(jù)傳輸速率和能效方面均有顯著提升，使其非常適合用于高性能計(jì)算和多任務(wù)處理的環(huán)境。 
該內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，確保其在各種工作條件下的可靠性和穩(wěn)定性。其低電壓運(yùn)行（1.1V）不僅有助于降低功耗，還能減少發(fā)熱，提高系統(tǒng)的能效，延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。 
批號(hào)與數(shù)量信息 
目前，我們擁有 M425R2GA3PB0-CWM 的庫(kù)存數(shù)量為  19,000.00 ，批號(hào)為  24+ ，確保能夠滿足大規(guī)模生產(chǎn)和項(xiàng)目需求。 
總結(jié) 
M425R2GA3PB0-CWM 是一款性能卓越的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，能夠滿足各類(lèi)移動(dòng)計(jì)算設(shè)備的需求。憑借其高帶寬、低功耗和可靠性，這款內(nèi)存模塊是電子工程師和設(shè)計(jì)師的理想選擇。通過(guò)采用 M425R2GA3PB0-CWM，您將能夠提升產(chǎn)品性能，滿足市場(chǎng)對(duì)高效能內(nèi)存解決方案的期待。