特點(diǎn)

? ESD 保護(hù)性能超過(guò) JESD 22 規(guī)范要求：– 2000V 人體放電模型 (A114-A)– 200V 機(jī)器放電模型 (A115-A)– 1000V 充電器件模型 (C101) ? 采用德州儀器 (TI) NanoFree? 封裝 ? 完全可配置的雙軌設(shè)計(jì)，支持各個(gè)端口在 1.65V 至 5.5V 的整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行 ? VCC 隔離特性 – 如果任何一個(gè) VCC 輸入接地 (GND)，則兩個(gè)端口均處于高阻抗?fàn)顟B(tài) ? DIR 輸入電路以 VCCA 為基準(zhǔn) ? 低功耗，ICC 最大值為 4μA ? 3.3V 時(shí)，輸出驅(qū)動(dòng)為 ±24mA ? Ioff 支持局部省電模式運(yùn)行 ? 最大數(shù)據(jù)速率– 420Mbps（3.3V 至 5V 轉(zhuǎn)換）– 210Mbps（轉(zhuǎn)換至 3.3V）– 140Mbps（轉(zhuǎn)換至 2.5V）– 75Mbps（轉(zhuǎn)換至 1.8V） ? 閂鎖性能超過(guò) 100mA，符合 JESD 78 II 類規(guī)范的 要求

描述

該一位同相總線收發(fā)器使用兩個(gè)獨(dú)立的可配置電源軌。 A 端口旨在跟蹤 VCCA。VCCA 可接受從 1.65V 至 5.5V 間的任一電源電壓值。B 端口旨在跟蹤 VCCB。VCCB 可 接受從 1.65V 至 5.5V 間的任一電源電壓值。這可實(shí)現(xiàn) 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 電壓節(jié)點(diǎn)間的通用低壓雙向 轉(zhuǎn)換。 SN74LVC1T45 旨在實(shí)現(xiàn)兩條數(shù)據(jù)總線間的異步通信。 方向控制 (DIR) 輸入的邏輯電平將會(huì)激活 B 端口或 A 端口輸出。當(dāng) B 端口輸出被激活時(shí)，此器件將數(shù)據(jù)從 A 總線發(fā)送到 B 總線，而當(dāng) A 端口輸出被激活時(shí)，此 器件將數(shù)據(jù)從 B 總線發(fā)送到 A 總線。A 端口和 B 端口 上的輸入電路一直處于激活狀態(tài)并且必須施加一個(gè)邏輯 高或低電平，從而防止過(guò)大的 ICC 和 ICCZ。 SN74LVC1T45 旨在實(shí)現(xiàn)通過(guò) VCCA 對(duì) DIR 輸入供電。 該器件專用于使用 Ioff 的局部斷電應(yīng)用。Ioff 電路可禁用 輸出，以防在器件斷電時(shí)電流回流對(duì)器件造成損壞。 VCC 隔離特性可確保任一 VCC 輸入接地時(shí)，兩個(gè)端口 都處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。 NanoFree? 封裝技術(shù)是 IC 封裝概念的一項(xiàng)重大突破， 它將硅晶片用作封裝。