FDS4435BZ
P 溝道 PowerTrench? MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）
-30V，-8.8A，20 毫歐
特性
- 當(dāng) = -10V， = -8.8A 時(shí)，最大導(dǎo)通電阻為 20 毫歐
- 當(dāng) = -4.5V， = -6.7A 時(shí)，最大導(dǎo)通電阻為 35 毫歐
- 擴(kuò)展的柵源電壓范圍（-25V），適用于電池應(yīng)用
- 典型的人體放電模式（HBM）靜電放電（ESD）保護(hù)等級(jí)為 ±3.8 千伏（注釋 3）
- 高性能溝槽技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻
- 高功率和電流處理能力
- 無(wú)鉛，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
總體說(shuō)明
這款 P 溝道 MOSFET 采用仙童半導(dǎo)體公司先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝特別旨在將導(dǎo)通電阻降至最低。
此器件非常適合筆記本電腦和便攜式電池組中常見(jiàn)的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。
