架構(gòu)優(yōu)勢(shì)
單電源工作
- 全電壓范圍：讀寫(xiě)操作電壓為 2.7V 至 3.6V
存儲(chǔ)架構(gòu)
- 統(tǒng)一的 64KB 扇區(qū)
- 頂部或底部保護(hù)塊（兩個(gè) 64KB 扇區(qū)），每個(gè)可細(xì)分為 16 個(gè) 4KB 子扇區(qū)
- 頁(yè)大小為 256 字節(jié)
- 與 S25FL032A 器件向后兼容
編程
- 頁(yè)編程（最多 256 字節(jié)），典型時(shí)間為 1.5 毫秒
- 按頁(yè)進(jìn)行編程操作
- 通過(guò) 9V 的 W#/ACC 引腳實(shí)現(xiàn)加速編程模式
- 四路頁(yè)編程
擦除
- 批量擦除功能
- 扇區(qū)擦除（SE）命令（D8h）用于擦除 64KB 扇區(qū)
- 子扇區(qū)擦除（P4E）命令（20h）用于擦除 4KB 子扇區(qū)
- 子扇區(qū)擦除（P8E）命令（40h）用于擦除 8KB 子扇區(qū)
循環(huán)耐久性
- 每個(gè)扇區(qū)典型值為 100,000 次循環(huán)
數(shù)據(jù)保存
- 典型保存時(shí)間為 20 年
器件標(biāo)識(shí)
- JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的兩字節(jié)電子簽名
- RES 命令的單字節(jié)電子簽名，用于向后兼容
一次性可編程（OTP）區(qū)域
- 用于永久、安全的身份識(shí)別；可在工廠或由客戶進(jìn)行編程和鎖定
符合通用閃存接口（CFI）標(biāo)準(zhǔn)：主機(jī)系統(tǒng)可識(shí)別和適配多種閃存器件
工藝技術(shù)：采用 0.09 微米 MirrorBit? 工藝技術(shù)
封裝選項(xiàng)
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳
- 8 引腳 SO 封裝（208 密耳）
- 16 引腳 SO 封裝（300 密耳）
- 8 引腳 USON 封裝（5×6 毫米）
- 8 引腳 WSON 封裝（6×6 毫米）
- 24 球 BGA 6×8 毫米封裝，5×5 引腳配置
- 24 球 BGA 6×8 毫米封裝，6×4 引腳配置
性能特點(diǎn)
- 速度
- 正常讀?。ù校?0MHz 時(shí)鐘速率
- 快速讀?。ù校?04MHz 時(shí)鐘速率
- 雙 I/O 快速讀?。?0MHz 時(shí)鐘速率，有效數(shù)據(jù)速率 20MB/s
- 四路 I/O 快速讀?。?0MHz 時(shí)鐘速率，有效數(shù)據(jù)速率 40MB/s
- 功耗
- 待機(jī)模式 80 微安（典型值）
- 深度掉電模式 3 微安（典型值）
存儲(chǔ)保護(hù)特性
- 存儲(chǔ)保護(hù)
- W#/ACC 引腳與狀態(tài)寄存器位協(xié)同工作
- 保護(hù)指定存儲(chǔ)區(qū)域
- 狀態(tài)寄存器中的塊保護(hù)位（BP2、BP1、BP0）將部分存儲(chǔ)區(qū)域配置為只讀
